台湾专利TW201301616A 用於製造ｏｌｅｄ照明面板之方法

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专利摘要:
本發明提供用於設計及製造OLED(包括高性能大面積OLED)的系統及方法。可使用各種所述之製造方法，利用氣相沉積諸如真空熱蒸發(VTE)，透過掩蔽遮罩來沉積及圖案化匯流排線及/或絕緣體，及可避免多個光微影步驟。匯流排線及/或絕緣體可經形成為具有平滑輪廓及漸進側壁過渡。該平滑輪廓可例如減少在匯流排線處電短路的機率。其他氣相沉積系統及方法尤其可包括濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)。匯流排線及/或絕緣體之最終輪廓可實質上對應於原沉積之輪廓。單一OLED裝置亦可經形成為具有相對大的尺寸，例如平面圖中之最短維度大於約2 cm，或平面圖之主動區域大於約10 cm2。
公开号:TW201301616A
申请号:TW101116731
申请日:2012-05-10
公开日:2013-01-01
发明作者:hui-qing Pang；Emory Krall；Kamala Rajan；Paul E Burrows；Ruiqing Ma；Peter Levermore
申请人:Universal Display Corp；
IPC主号:H01L51-00

专利说明:
用於製造OLED照明面板之方法
本發明係關於用於製造OLED照明面板，及尤其用於形成可用於大面積OLED照明面板中之金屬匯流排線之系統及方法。
利用有機材料之光電裝置因諸多原因變得越來越為人所需。用於製造該類裝置的許多材料相對不貴，因此有機光電裝置比無機裝置具有成本優勢的潛力。此外，有機材料的固有性質，諸如其可撓性，可使其較佳地適合用於特定應用諸如製造於可撓性基材上。有機光電裝置之實例包括有機發光裝置(OLED)、有機光電晶體、有機光伏電池及有機光偵測器。對於OLED，有機材料比常規材料具有性能優勢。例如，有機發射層發射之波長一般可藉由適當的摻雜物輕易地調諧。
OLED利用當施加電壓通過裝置時會發光的薄有機膜。OLED在用於諸如平板顯示器、照明及背光之應用中變為越來越受人關注的技術。若干OLED材料及組態敘述於美國專利號5,844,363、6,303,238及5,707,745中，該等專利係以全文引用之方式併入本文。
磷光發射分子之一種應用為全彩顯示器。該顯示器之工業標準要求像素經調整以發射稱為「飽和」色之特定顏色。特定言之，該類標準要求飽和紅、綠及藍像素。顏色可利用CIE座標測量，其在技術中為人知曉。
發射綠光分子的一個實例為表示成Ir(ppy)₃之三(2-苯基吡啶)銥，其具有下列結構：
在文中之該圖及後圖中，氮與金屬(此處為Ir)之配位鍵描繪為直線。
文中所用之術語「有機」包括可用於製造有機光電裝置之聚合材料以及小分子有機材料。「小分子」表示非聚合物之任何有機材料，及「小分子」實際上可很大。小分子在一些情形中可包括重複單元。例如，利用長鏈烷基作為取代基並未將分子從「小分子」類中排除。小分子還可例如呈聚合物主鏈中之側基或作為主鏈的一部份併入聚合物中。小分子還可充當由構建於核心部份之一系列化學殼所組成之樹枝狀聚合物之核心部份。樹枝狀聚合物之核心部份可為螢光或磷光小分子發射物。樹枝狀聚合物可為「小分子」，及據信所有當前在OLED領域中使用的樹枝狀聚合物為小分子。
文中所用之「頂部」表示離基材最遠處，而「底部」表示離基材最近處。當第一層敘述為在第二層之「上方沉積」時，第一層係以遠離基材而沉積。在第一及第二層之間存在其它層，除非表明第一層係與第二層「接觸」。例如，陰極可敘述為在陽極之上方沉積，即使其間存在各種有機層。
文中所用之「溶液可處理的」表示能夠溶於、分散或轉移進入呈溶液或懸浮液形式之液體介質中及/或從該呈溶液或懸浮液形式中之液體介質沉積。
當配體被視為直接貢獻發射材料的光活性性質時，配體可表示為「光活性」。當配體被視為不貢獻發射材料的光活性性質時，配體可表示為「輔助的」，儘管輔助配體可改變光活性配體的性質。
如文中所用及如擅長該項技術者一般理解，若第一能級更接近真空能級，則第一「最高佔用分子軌域」(HOMO)或「最低未佔用分子軌域」(LUMO)能級「大於」或「高於」第二HOMO或LUMO能級。因為離子化電位(IP)係以相對真空能級之負能而測量，更高HOMO能級對應具有更小絕對值的IP(負值較小的IP)。同樣地，更高的LUMO能級對應於具有更小絕對值的電子親和力(EA)(負值較小的EA)。在常規能級圖表上，真空能級位於頂部，材料的LUMO能級高於相同材料的HOMO能級。「更高的」HOMO或LUMO能級呈現比「更低的」HOMO或LUMO能級更接近該圖表的頂部。
如文中所用及如擅長該項技術者一般理解，若第一功函數具有更高的絕對值，則第一功函數「大於」或「高於」第二功函數。因為功函數一般係以相對於真空能級之負數而測量，這表示「更高的」功函數具有更大的負值。在常規能級圖表上，真空能級位於頂部，「更高的」功函數係以向下的方向遠離真空能級而說明。因此，HOMO及LUMO能級之定義遵循不同於功函數的規則。
文中所用之「匯流排線」一般表示經配置以從電極觸點傳導電流通過裝置的電線。匯流排線可進一步配置以平均分配電流通過例如OLED照明面板。在大面積OLED照明面板中，因明顯的電極電阻引起的電位降會導致光度不均以及降低裝置效能。用於減少電位降的一種方法為引進高傳導匯流排線。進而，電流分配取決於匯流排線電阻、電極電阻、主動區域及OLED堆疊之特定的JVL特徵。匯流排線之電阻係藉由匯流排線材料之電阻率及匯流排線之形狀(包括厚度、長度及寬度)所決定。原則上，匯流排線之電阻可以藉由利用具有更低電阻率的材料(諸如金、銀、鋁或銅)或增加匯流排線的高度而降低。然而，實際上，實際中沉積匯流排線的高度有限，任何高於此有限高度將難於在匯流排線上沉積均一薄膜。其他降低電阻的方法一般在於藉由增加匯流排線的寬度而達到。
文中所用之「絕緣體」可用於一般表示阻斷電流在裝置之不同層或結構之間流動的材料或結構。這可包括例如配置於第一電極與第二電極之間的材料，及可表示當在兩個電極之間施加電場時阻斷電流流經有機堆疊的材料。亦即，材料本身可為傳導的或半傳導的但不會轉移電荷至其他有機層或從其他有機層轉移電荷及因此阻止發射。此等材料可為介電材料，諸如SiO₂，其本身不會傳導電荷。在一些實施例中，絕緣體可為寬頻帶間隙材料，諸如LiF。在其他實施例中，絕緣體可為電子傳輸層(ETL)或電子注射層(EIL)材料，諸如Liq，當其配置在陽極及有機層之間時會形成反向偏壓二極體及因而阻斷電荷流動。絕緣體還可配置在金屬匯流排線與有機層之間以預防短路。
文中所用之隔片遮罩可表示在基材與圖案化掩蔽遮罩之間嵌入的掩蔽遮罩，及可具有比圖案化掩蔽遮罩更大的開口。圖案化掩蔽遮罩(或下文所引用之掩蔽遮罩)為具有使沉積材料成形為實質上相同圖案之特定開口的遮罩。然而，隔片遮罩通常為無特定特徵的開口遮罩及可透過圖案化掩蔽遮罩沉積實質上相同的圖案，即圖案可具有不同的邊緣輪廓或略寬但平面圖形狀實質上相同，就如同僅透過圖案化掩蔽遮罩沉積般。隔片遮罩經嵌入以在基材與掩蔽遮罩之間產生間隙以控制沉積層之輪廓。基於沉積層之目標輪廓形狀，可調節隔片遮罩之厚度以調整所需距離之間隙。例如，絕緣體可透過與匯流排線相同之掩蔽遮罩進行圖案化，但利用隔片遮罩以產生更寬的圖案，從而絕緣體可以覆蓋匯流排線的邊緣以預防短路。這可以減少用於製造中之掩蔽遮罩的數量及因而降低製造成本。
文中所用之單一裝置可表示可單獨處理之OLED裝置，即至少一個陽極與陰極進行圖案化及與面板之任何其他部件電隔斷。例如，若陽極與陰極均為共用層，整體面板可包括僅一個單一裝置。相反，若電極之一經圖案化至多個單個區段及各區段可單獨處理，各區段可形成單一裝置及面板可包括多個單一裝置。或者，若圖案化電極區段係透過匯流排線彼此電連通，則面板仍可視為單一裝置，此係因為多個區段係並聯連接及不可單獨處理。若面板經圖案化至多個像素中且該等像素係以串聯連接，則像素可視為單一裝置。
有關OLED之更多細節及上述定義可見於美國專利號7,279,704，該案係以全文引用之方式併入本文。
在典型的底部發射OLED裝置中，陽極材料通常為透明傳導性氧化物(TCO)，其因為其相對高的電阻率及薄膜厚度產生功率損失及焦耳加熱。例如，就50-200 nm之厚度範圍而言，薄片電阻一般位於10-100 Ohm/平方之範圍內。這與通常為反射陰極所用之金屬對比。這可以導致亮度不均一，當按比例製成大面積照明面板時，這現象變得更加明顯。為了改良均一性，高度傳導性金屬匯流排線可與TCO電極電接觸沉積以提供通過面板之改良的電流分配。匯流排線可有助於使電流更平均地分配通過整體面板，且功率損失極少。相似的方法可應用於頂部發射OLED裝置，其中需要半透明陰極。在該情形下，均一性可藉由與陰極電接觸沉積高傳導性金屬匯流排線而改良。在透明OLED裝置中，高度傳導性金屬匯流排線可與二者電極電接觸沉積。
對金屬匯流排線圖案化之常規方式係透過光微影，然後藉由剝離處理。許多公開之材料已經教示需要絕緣層(諸如SiO₂或光阻劑)覆蓋匯流排線以預防短路。Weaver之美國專利申請案公開號US 2003/0006697揭示一種裝置，其包括第一電極、配置在該第一電極之一部份上的絕緣條帶及配置在該絕緣條帶頂部的匯流排線，使得該匯流排線係藉由該絕緣條帶與該第一電極電絕緣。Schwab等人(「Schwab」)之國際專利申請案公開號WO 2010/038181 A1亦敘述一種OLED裝置，其中匯流(分流)排線應用至一電極。Schwab進而敘述為何需要至少部份及較佳全部覆蓋匯流排線之鈍化(電絕緣)以預防反電極之電短路。事實上，利用絕緣層(例如SiO₂、SiN、聚醯亞胺等)覆蓋匯流排線以預防在匯流排線與反電極之間發生電短路在該產業中已成為標準操作。
然而，引進絕緣層或格柵，諸如在以上公開案中所敘述之彼等，可因為藉由絕緣層覆蓋之面積為非發射的而降低發射面積。此外，若水分儲存在絕緣層中，OLED之貨架壽命可能降低。最後，匯流排線及絕緣層一般利用光微影進行圖案化，其耗時且昂貴。
根據本發明之態樣，提供用於OLED(包括高性能大面積OLED)之設計及製造的系統及方法。在實施例中，可使用製造方法沉積匯流排線及對其圖案化以使其具有平滑輪廓及漸進側壁過渡。發明者已經發現該類平滑輪廓及漸進側壁過渡可例如降低在匯流排線中電短路的可能性。因此，在某些實施例中，絕緣層不再視為必須的及可視需要全部避免使用。在不使用絕緣層的情形下，還可能進一步實現裝置之發射面積及貨架壽命的提高。如文中進一步所論述，藉由按照敘述之方法沉積匯流排線及對其圖案化，亦可實現大面積OLED照明面板之光度均一性的改良。
根據本發明之其他態樣，還提供用於OLED(包括一或多個較大OLED裝置)之設計及製造的系統及方法。在實施例中，匯流排線及/或絕緣體可藉由氣相沉積，透過掩蔽遮罩而進行圖案化。
在實施例中，匯流排線及/或絕緣體(諸如在文中所述之彼等)可利用氣相沉積諸如真空熱蒸發(VTE)，透過掩蔽遮罩沉積及進行圖案化，其可藉由例如取消多個光微影步驟而簡化製造過程。其他氣相沉積系統及方法可包括濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)。
根據本發明之第一態樣，一種製造具有多條匯流排線之發光面板之方法可包括形成第一電極層及在該第一電極層上形成有機堆疊。第二電極層可在該有機層堆疊上方形成。實施例可包括藉由氣相沉積，透過掩蔽遮罩將多條匯流排線圖案化於第一電極層、第二電極層之至少一者上或可容許匯流排線電連通至第一電極層及/或第二電極層之該類其它層上。在實施例中，多條匯流排線可與第一電極層及第二電極層之至少一者電接觸。例如，電觸點可藉由將匯流排線沉積在電極層上及/或將電極層沉積在匯流排線上而形成。
在實施例中，多條匯流排線可與第一電極層電接觸及第一電極層可在多條匯流排線之前沉積。在實施例中，多條匯流排線可與第一電極層電接觸及多條匯流排線可在第一電極層之前沉積。在實施例中，多條匯流排線可與第二電極層電接觸及第二電極層可在多條匯流排線之前沉積。在實施例中，多條匯流排線可與第二電極層電接觸及多條匯流排線可在第二電極層之前沉積。在實施例中，第一組多條匯流排線可與第一電極層電接觸及第二組多條匯流排線可與第二電極層電接觸。
在實施例中，匯流排線之最終輪廓形狀可實質上對應於原沉積之匯流排線的輪廓形狀。在實施例中，多條匯流排線之圖案化可包括真空熱蒸發(VTE)沉積、濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)中至少一者。例如，多條匯流排線之圖案化可包括藉由VTE，透過掩蔽遮罩之沉積。
在實施例中，多條匯流排線之圖案化可包括以下至少一者：(a)選擇掩蔽遮罩的厚度；(b)選擇材料來源相對於掩蔽遮罩之位置；及(c)基於匯流排線之希望的最終輪廓形狀，控制基材與掩蔽遮罩之間的間隙。在實施例中，掩蔽遮罩的厚度可位於約20微米至500微米之範圍內。在實施例中，介於來源與基材中心之連線與基材法線之間的角度可位於約0°至20°之範圍內。
在實施例中，可在基材及掩蔽遮罩之間嵌入隔片遮罩。基於匯流排線之希望的最終輪廓，隔片遮罩的厚度可用於控制基材與掩蔽遮罩之間的間隙。
在實施例中，有機層堆疊可在無中介的絕緣體下形成於匯流排線上。在替代性實施例中，絕緣體可在有機層堆疊及匯流排線之間形成。絕緣體可在不破壞真空下於有機層堆疊及匯流排線之間形成。絕緣層之最終輪廓可對應於原形成之絕緣層之輪廓。
在實施例中，第一電極層之形成、匯流排線之圖案化、有機層堆疊之形成及/或第二電極層之形成可在無濕式製程下進行。
在實施例中，第一電極可為陽極，第一電極可預先圖案化，及有機層堆疊之形成、第二電極層之形成、匯流排線之圖案化、及絕緣體之圖案化可在無濕式製程下及/或不破壞真空下進行。
在實施例中，匯流排線之側壁的傾斜角可位於例如0.01°-30°之範圍內，傾斜角係基於分別位於10%及90%之匯流排線厚度之匯流排線側壁的兩點之間的連線所測量。在實施例中，就沿基材表面之距離而言，匯流排線層之側壁輪廓之二階導數的最大絕對值可為例如<1.0。沿側壁之匯流排線層之表面粗糙度之均方根(RMS)值可為例如<30 nm。
在實施例中，絕緣體的厚度可為至少與匯流排線的厚度相同。在實施例中，絕緣體的厚度可比匯流排線大至少30%。
在實施例中，電極層可在對匯流排線圖案化之前形成。在其他實施例中，匯流排線可在形成電極層之前進行圖案化。在實施例中，陽極可在有機堆疊及基材之間形成。在實施例中，陰極可在有機堆疊及基材之間形成。在實施例中，電極層可在匯流排線兩邊形成。
根據本發明之其他態樣，發光面板裝置可包括第一電極層及藉由氣相沉積圖案化之多條匯流排線。在實施例中，發光面板還可包括在第一電極層及匯流排線上之有機層堆疊，及在該有機層堆疊上之第二電極層。在實施例中，多條匯流排線可具有實質上如原沉積之最終輪廓形狀。
在實施例中，裝置之有機層堆疊可在無中介的絕緣體下位於匯流排線上。在替代性實施例中，裝置可包括介於有機層堆疊與匯流排線之間的絕緣體。絕緣體可在不破壞真空下在有機層堆疊與匯流排線之間形成。絕緣層之最終輪廓可對應於原形成之絕緣層的輪廓。在實施例中，隔片遮罩可嵌入基材與掩蔽遮罩之間以對絕緣體進行圖案化，及基於絕緣體希望的最終輪廓，隔片遮罩的厚度可用於控制基材與掩蔽遮罩之間的間隙。在實施例中，絕緣體之掩蔽遮罩可為與匯流排線之掩蔽遮罩相同的遮罩。
在實施例中，裝置之匯流排線層之側壁的傾斜角可位於0.01°-30°範圍內。在實施例中，就沿基材表面之距離而言，裝置的匯流排線層之側壁輪廓之二階導數的最大絕對值可為<1.0。在實施例中，沿側壁之匯流排線層之表面粗糙度之均方根(RMS)可為<30 nm。
根據本發明之其他態樣，另一發光面板裝置可包括第一電極層及多條匯流排線，其中有機層堆疊位於第一電極層及該等匯流排線上方。第二電極層可併入有機層堆疊上方。在實施例中，多條匯流排線可為具有位於約0.01°-30°之範圍內的側壁角度的最終輪廓形狀。有機層堆疊可在無中介的絕緣體下例如位於匯流排線上。實施例可包括位於有機層堆疊及匯流排線之間的絕緣體。
在實施例中，側壁角度可基於分別在10%及90%之匯流排線厚度處之匯流排線斜坡上之兩點之間的連線而測量。
在實施例中，最終輪廓形狀可具有例如位於約0.01°-20°、或0.01°-10°或0.01°-1°範圍內的側壁角度。
在實施例中，就沿基材表面之距離而言，匯流排線層之側壁輪廓之二階導數的最大絕對值可為例如<1.0，及/或沿側壁之匯流排線層之表面粗糙度之RMS可為例如<30 nm。
根據本發明之其他態樣，另一製造發光面板之方法可包括形成第一電極層；在該第一電極層之上形成有機層堆疊；在該有機層堆疊之上形成第二電極層；及藉由氣相沉積，透過掩蔽遮罩，圖案化(a)與第一電極層或第二電極層中至少一者電接觸的多條匯流排線，或(b)絕緣體其中至少一者。在實施例中，可形成平面圖中之至少一個最短維度大於約2 cm及/或平面圖中之主動區域大於約10 cm²之至少一種單一OLED裝置。在實施例中，單一裝置可表示可單獨處理之OLED裝置。在實施例中，照明面板可包括僅一個單一OLED裝置。或者，示例性面板可包括多個像素，一或多個像素可視為單一裝置。例如，若像素並聯連接(例如呈光條帶)，整個面板可視為單一裝置，例如，因為多個像素不能單獨處理。再如，若像素串聯連接，像素亦可視為單一裝置。
在實施例中，可形成平面圖中之至少一個最短維度大於約5 cm及/或平面圖中之主動區域大於約25 cm²之至少一種單一OLED裝置。
在實施例中，絕緣體可藉由氣相沉積，透過掩蔽遮罩而進行圖案化。絕緣體之圖案化可包括真空熱蒸發(VTE)沉積、濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)中至少一者。
在實施例中，絕緣體之最終輪廓形狀可對應於原沉積之絕緣體的輪廓形狀。
在實施例中，絕緣體可包括LiF或SiO₂中至少一者。在實施例中，絕緣體可包括ETL或EIL層，其可包括例如LiF或LiQ。在實施例中，絕緣體可包括介電層，其可包括例如氧化矽、氧化鋁或氮化矽。
在實施例中，絕緣體可配置在匯流排線與有機層堆疊之間。在實施例中，絕緣體可配置在第一電極與有機層堆疊之間。在實施例中，絕緣體可配置在第二電極與有機層堆疊之間。在實施例中，絕緣體可經配置以至少覆蓋匯流排線的邊緣，以防止與有機層接觸。在實施例中，絕緣體可經配置以覆蓋第一或第二電極的邊緣，以防止與有機層接觸。
在實施例中，面板可形成於可撓性基材上。基材可為例如塑料基材，及可包括PET或PEN。在實施例中，基材可具有例如小於200 μm的厚度。
在實施例中，第一電極層之形成、有機層堆疊之形成、第二電極層之形成、匯流排線之圖案化及絕緣體之圖案化可在無濕式製程下進行。
在實施例中，第一電極層之形成、有機層堆疊之形成、第二電極層之形成、匯流排線之圖案化及絕緣體之圖案化可在不破壞真空下進行。
在實施例中，絕緣體可藉由沉積進行圖案化成實質上對應於多條匯流排線的圖案。在實施例中，隔片遮罩可嵌入基材與掩蔽遮罩之間以對絕緣體進行圖案化，及基於絕緣體希望的最終輪廓，隔片遮罩的厚度可用於控制基材與掩蔽遮罩之間的間隙。在實施例中，絕緣體之掩蔽遮罩可為與匯流排線之掩蔽遮罩相同的遮罩。
在實施例中，匯流排線或絕緣體中至少一者之圖案化可包括以下至少一者：(a)選擇掩蔽遮罩的厚度；(b)選擇材料來源相對於掩蔽遮罩之位置；及(c)基於匯流排線或絕緣體之希望的最終輪廓形狀，控制基材與掩蔽遮罩之間的間隙。
在實施例中，有機層堆疊可在無中介的絕緣體下形成於匯流排線上。
在實施例中，絕緣體可在有機層堆疊及匯流排線之間形成。
根據本發明之其他態樣，另一發光面板裝置可包括第一電極層；在該第一電極層上之有機層堆疊；在該有機層堆疊上之第二電極層；及與第一電極層及第二電極層中至少一者電接觸之多條匯流排線，介於第一電極層與第二電極層之間的絕緣體；平面圖中之至少一個最短維度大於約2 cm或平面圖中之主動區域大於約10 cm²之單一OLED裝置。在實施例中，匯流排線及/或絕緣體可藉由氣相沉積透過掩蔽遮罩而進行圖案化。
在實施例中，多條匯流排線可包括具有位於大約介於0.01°-30°、0.01°-20°、0.01°-10°或0.01°-1.0°之間範圍內之側壁角度的最終輪廓形狀。
在實施例中，側壁角度可基於分別在10%及90%之匯流排線厚度處之側壁斜坡上之兩點之間的連線而測量。
在實施例中，匯流排線層之側壁之二階導數的最大絕對值可為<1.0。
在實施例中，沿側壁之匯流排線層之表面粗糙度之RMS可為<30 nm。
在實施例中，絕緣體可在不破壞在藉由氣相沉積匯流排線之圖案化期間形成的真空下而形成。
在實施例中，絕緣體之最終輪廓形狀可對應於原沉積之絕緣體的輪廓形狀。在實施例中，絕緣體可藉由將隔片遮罩嵌入基材與掩蔽遮罩之間以對絕緣體圖案化而形成，及基於絕緣體希望的最終輪廓，隔片遮罩的厚度可用於控制基材與掩蔽遮罩之間的間隙。在實施例中，絕緣體之掩蔽遮罩可為與匯流排線之掩蔽遮罩相同的遮罩。
根據本發明之其他態樣，另一製造發光面板之方法可包括形成第一電極層；在該第一電極層之上形成有機層堆疊；在該有機層堆疊之上形成第二電極層；與第一電極層或第二電極層中至少一者電接觸形成多條匯流排線；及藉由氣相沉積，透過掩蔽遮罩，對絕緣體進行圖案化。在實施例中，絕緣體可經配置以使匯流排線與有機層堆疊電絕緣。
在實施例中，絕緣體可為電子傳輸層(ETL)或電子注射層(EIL)材料諸如Liq。在實施例中，絕緣體可包括與其他有機層形成之阻斷電荷流動的反向偏壓二極體。
在實施例中，絕緣體可經配置以完全或部份覆蓋匯流排線，例如，絕緣體可完全或部份覆蓋匯流排線之頂部或側面。在實施例中，絕緣體可配置呈覆蓋匯流排線相對側面之單一線。在實施例中，絕緣體可配置在有機層與第一電極之間。在實施例中，絕緣體可經配置以覆蓋第一電極之邊緣以阻止其與有機層接觸。在實施例中，隔片遮罩可嵌入基材與掩蔽遮罩之間以對絕緣體圖案化，及基於絕緣體希望的最終輪廓，隔片遮罩的厚度可用於控制基材與掩蔽遮罩之間的間隙。在實施例中，絕緣體之掩蔽遮罩可為與匯流排線之掩蔽遮罩相同的遮罩。
在實施例中，面板之亮度可大於例如1,000 cd/m²。在實施例中，面板之光度均一性例如在1,000 cd/m²下可為大於70%。
本發明之其他特徵、優勢及實施例將得以闡述或鑒於下列詳述、圖示及技術方案而明晰。而且，應理解上述之本發明內容及下列詳述為示例性的及旨在提供進一步說明而不限制主張之本發明的範圍。然而，詳細敘述及具體實例僅表明本發明之較佳實施例。擅長該項技術者從該詳述中明瞭在本發明精神及範圍內可以做出各種改變及修改。
併入以提供對本發明之進一步理解的附圖併入及構成該說明書的一部份，說明本發明之實施例及與詳述一起用於解釋本發明之原理。並未嘗試更詳細地說明本發明之結構細節，而是要求基本理解本發明且以各種方式實踐它°
應理解，本發明不限文中所述之於特定方法、方案及試劑等，擅長該項技術者認識到該類可以做出變化。亦應理解，文中所用之術語僅用於敘述特定實施例之目的，而不欲限制本發明之範圍。還應注意，除非文中另有清楚地表明，文中所使用及附加技術方案中之單數形式「一」及「該」包括複數指稱物。因此，例如，對「一條匯流排線」之指稱係指稱一或多條匯流排線及擅長該項技術者知曉的其相當物。
除非另有定義，文中使用之技術及科學術語含有如具有本發明所屬之技術之一般人員通常理解的相同的意義。參考在附圖中敘述及/或說明及在下文詳細敘述之非限制性實施例及實例，可以更全面地說明本發明之實施例及其各種特徵及有利的細節。應注意，在圖示中說明之特徵不一定按比例繪製，及如熟練技術者所認識的，即使文中未明確表明，一個實施例之特徵可為其他實施例所採用°為了不必要地使本發明變得含糊，可以省略已知組件及處理技術之敘述。文中所用之實例僅為了促進理解本發明可以實踐的方式及為了進一步使得擅長該項技術者實踐本發明之實施例。因此，文中之實例及實施例不應視為限制本發明之範圍，其僅由附加技術方案及應用法界定。而且，應注意相同參考數字在圖示之若干視圖中表示相似部件。
下列較佳實施例在示例性OLED裝置內容中敘述以便於敘述及理解。然而，本發明不限於具體敘述之裝置及方法，及在不脫離本發明之總體範圍下可適用於各種電路組配。例如，包括文中所述概念之裝置及相關方法可用於微晶片組配、光電裝置(諸如太陽能電池及光偵測器)及其他具有多層電路之設備。
一般而言，OLED包括在陽極與陰極之間配置及與之電連通之至少一層有機層。當施加電流時，陽極注射電洞及陰極注射電子進入有機層。注射之電洞及電子分別朝帶相反電荷之電極遷移。當電子及電洞位於同一分子上時，形成作為具有激發能量態之局域化電子-電洞對的「激子」。當激子藉由發光機制鬆弛時，發出光線。在一些情形下，激子可位於激生分子或激發複合物(exciplex)上。非輻射機制諸如熱鬆弛亦可發生，但一般視為不需要的。
起初的OLED使用可從其單重態發光(「螢光」)之發射分子，如在例如全文以引用之方式併入之美國專利號4,769,292中所揭示。螢光發射一般在小於10奈秒之時間範圍內發生。
最近，已經證實具有可從其三重態發光(「磷光」)之發射材料的OLED。Baldo等人之「Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices,」Nature,vol.395,151-154,1998；(「Baldo-I」)及Baldo等人之「Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence,」Appl.Phys.Lett.,vol.75,No.3,4-6(1999)(「Baldo-II」)，其係以全文引用之方式併入本文。磷光在美國專利號7,279,704第5-6欄中得以更詳細的敘述，該案係以引用之方式併入。
圖1顯示有機發光裝置100。圖示不一定按比例繪製。裝置100可包括基材110、陽極115、電洞注射層120、電洞傳輸層125、電子阻斷層130、發射層135、電洞阻斷層140、電子傳輸層145、電子注射層150、保護層155、及陰極160。陰極160為具有第一傳導層162及第二傳導層164之複合陰極。裝置100可藉由按順序沉積敘述之層而製造。該等不同層之性質及功能以及實例材料在US 7,279,704第6-10欄中詳述，該案係以引用之方式併入。
可獲得更多該等層之每一者的實例。例如，可撓性及透明基材陽極組合揭示於美國專利號5,844,363中，該案係以全文引用之方式併入。p摻雜電洞傳輸層之一個實例為以50：1之莫耳比摻雜F.sub.4-TCNQ之m-MTDATA，如在美國專利申請案公開號2003/0230980中所揭示，該案係以全文引用之方式併入。發射及主體材料之實例揭示於Thompson等人之美國專利號6,303,238中，該案係以引全文用之方式併入。n摻雜電子傳輸層之一個實例為以1：1之莫耳比摻雜Li之BPhen，如在美國專利申請案公開號2003/0230980中所揭示，該案係以全文引用之方式併入。以全文引用之方式併入之美國專利號5,703,436及5,707,745揭示包括薄層金屬諸如Mg：Ag及在上方重疊有透明、導電、濺鍍沉積之ITO層之複合陰極的陰極實例。阻斷層之理論及應用在美國專利號6,097,147及美國專利申請案公開號2003/0230980中詳述，該等案係以全文引用之方式併入。注射層之實例提供於美國專利申請案公開號2004/0174116中，該案係以全文引用之方式併入。保護層之實例可見於美國專利申請案公開號2004/0174116中，該案係以全文引用之方式併入。
圖2顯示倒置式OLED 200。裝置包括基材210、陰極215、發射層220、電洞傳輸層225及陽極230。裝置200可藉由按順序沉積所述之層而製造。因為最常見的OLED組態具有配置在陽極之上的陰極，及裝置200具有配置在陽極230之下的陰極215，裝置200可稱為「倒置」OLED。與就裝置100敘述之彼等類似的材料可用於裝置200的對應層中。圖2提供一種如何將某些層從裝置100的結構中省略之實例。
在圖1及2中說明之簡單層狀結構係以非限制性實例的方式提供，及應理解，本發明之實施例可與各式各樣其他結構相關而加以使用。所述具體材料及結構在本質上為示例性的，及可使用其他材料及結構。功能性OLED可以不同方式藉由組合所述之不同層而實現，或基於設計、性能及成本因素，可以完全省略某些層。未具體敘述之其它層亦可併入°可使用除具體敘述之彼等外的材料。儘管文中提供之許多實例將各層敘述為包括單一材料，應理解，可使用材料組合諸如主體及摻雜物的混合物或更一般言之混合物。而且，該等層可以具有不同亞層。文中為各層所取的名稱不欲具有嚴格限制性。例如，在裝置200中，電洞傳輸層225傳輸電洞及注射電洞進入發射層220，及可敘述為電洞傳輸層或電洞注射層。在一個實施例中，OLED可敘述為具有配置在陰極與陽極之間的「有機層」。該有機層可包括單層或例如，就圖1及2而言，可進一步包括由敘述之不同有機材料組成之多層。
還可使用未具體敘述之結構及材料，諸如包括聚合物材料之OLED(PLED)，諸如在Friend等人之美國專利號5,247,190所揭示，該案係以全文引用之方式併入。再如，可使用具有單一有機層之OLED。OLED可經堆疊，例如如在Forrest等人之美國專利號5,707,745中所述，該案係以全文引用之方式併入。OLED結構可偏離圖1及2中所闡明之單層結構。例如，基材可包括具有角度的反射表面以改良外部耦合，諸如Forrest等人之美國專利號6,091,195所敘述之臺式結構，及/或在Bulovic等人之美國專利號5,834,893所敘述之凹槽結構，該等案係以全文引用之方式併入。
除非另有說明，各實施例之任何層可藉由任何適當的方法沉積。對於有機層，較佳方法包括熱蒸發、噴墨，諸如在以全文引用之方式併入之6,013,982及6,087,196所述；有機氣相沉積(OVPD)，諸如在以全文引用之方式併入之Forrest等人之美國專利號6,337,102所述；及藉由有機氣相噴印(OVJP)沉積，諸如在以全文引用之方式併入之美國專利申請案系列號10/233,470所述。其他適當的沉積方法包括旋塗及其他基於溶液的方法。基於溶液的方法較佳地在氮氣或惰性氛圍中進行。對於其它層，較佳方法包括熱蒸發°較佳圖案化方法包括透過遮罩沉積、冷焊，諸如在以全文引用之方式併入之美國專利號6,294,398及6,468,819所述，及與一些沉積方法有關之圖案化諸如噴墨及OVJD。亦可使用其他方法。待沉積之材料可經改進以使其與特定沉積方法相容。例如，取代基諸如支鏈或直鏈，且較佳地包含至少3個碳之烷基及芳基可用於小分子中以提高其承受溶液處理的性能。可使用具有20個碳或以上的取代基，及3-20個碳為較佳範圍。具有不對稱結構的材料比具有對稱結構之彼等具有更佳的溶液可處理性，此係因為不對稱材料再結晶的傾向性可能更低。樹枝狀聚合物取代基可用於提高小分子承受溶液處理的性能。
根據本發明之實施例製造之裝置可併入各式各樣消費品中，其包括平板顯示器、電腦顯示器、電視、廣告板、內部或外部照明燈及/或信號燈、平視顯示器、全透明顯示器、可撓性顯示器、雷射打印機、電話、手機、個人數字助理(PDA)、膝上型電腦、數位相機、攝錄影機、取景器、微顯示器、運載工具、大面積壁、劇院或體育館螢幕或標識。各種控制機制可用於控制根據本發明製造之裝置，包括被動矩陣及主動矩陣。許多裝置計劃用於人感覺舒適的溫度範圍中，諸如18℃至30℃，及更佳係在室溫(20-25℃)下。
文中敘述之材料或結構可應用於除OLED之外的其他裝置中。例如，其他光電裝置諸如有機太陽能電池及有機光偵測器可運用該等材料及結構。更一般言之，有機裝置諸如有機電晶體可運用該等材料及結構°
術語鹵代、鹵素、烷基、環烷基、烯基、炔基、芳烷基、雜環基、芳基、芳香族基團及雜芳基在技藝中為人所知，及在以引用之方式併入本文之US 7,279,704第31-32欄中定義。
如前所述，形成匯流排線的常規方法為光微影圖案化，接著進行剝離步驟。本發明之態樣及與其他已知製造技術及裝置的比較係進一步就圖3加以論述，圖3描繪具有發射面積310及匯流排線320的OLED面板300。
典型的OLED裝置包括陽極、有機層及陰極。陽極或陰極一般為TCO或薄金屬，其具有高的電阻率。當按比例製造成大面積時，光度均一性因為通過高電阻率電極之壓降而下降。存在兩種解決該問題的方法。第一，構建多個小面積OLED及將其串連，諸如在US 7,034,470及US 7,576,496中所述。然而，因為在兩個相鄰裝置之間的互連，該類組態通常產生更多的非發射區，及可能降低孔徑比。為了將互連減到最小，需要在像素之間嵌入其他隔片(諸如在US 7,034,470中)或互連金屬(諸如在US 7,576,496中)，接著進行光微影及/或蝕刻步驟。另一方面，高度傳導性金屬匯流排線通常係配置在TCO陽極(或陰極)上方，以降低TCO陽極之薄片電阻及從而改進均一性。習知需要絕緣層來覆蓋金屬匯流排線以預防短路。匯流排線及絕緣體一般係透過光微影及隨後的剝離或蝕刻步驟來圖案化。此係一個複雜的過程，其可包括旋塗光阻劑、透過光遮罩之UV曝光、光阻劑顯影、金屬或介電蒸發、剝離、蝕刻、剝離光阻劑及高溫後烘焙。在此等步驟中涉及大量的操作及濕式製程。操作可能不利地吸引顆粒而黏附至基材表面上及導致潛在的電短路。另外，因為濕式處理或材料性質，濕氣可能被捕集於絕緣格柵(諸如聚醯亞胺)中。在此等製程期間，還可能引入其他類型的缺陷，諸如光阻劑殘質及來自剝離步驟之金屬薄片。
根據本發明之態樣，在實施例中，大面積OLED照明面板之所有層可以透過真空沉積來完成，而無任何濕式製程。金屬匯流排線可以例如透過掩蔽遮罩在VTE室內部沉積，以改良光度均一性。亦可使用其他真空沉積方式(諸如電子束蒸發)來配置金屬匯流排線。絕緣材料可以利用VTE透過掩蔽遮罩沉積，或可利用電漿增強化學氣相沈積(PECVD)透過掩蔽遮罩沉積。可配置絕緣材料以覆蓋電極邊緣來預防短路。亦可將絕緣材料配置在匯流排線上方以預防短路及電荷注射，但此非必需。文中所述之方法之一些優勢可包括以下一或多者：1)簡單的製造過程，2)較少的操作因此引入較少的缺陷及潛在的短路；3)無濕式製程，因而顯著減少保留在裝置內的濕氣含量且可獲致更長壽命；4)利用真空沉積形成之絕緣體包含比聚醯亞胺更少的濕氣，其可改良裝置壽命，及其亦係比利用需要額外蝕刻步驟之其他無機絕緣體(諸如氮化矽)更為簡單的方法；5)歸因於透過掩蔽遮罩在真空室內部圖案化之匯流排線的溫和邊緣輪廓及平滑表面，不需將絕緣體配置在匯流排線上。藉由利用諸如文中敘述之彼等的簡化方法，本發明者已展示達成大於1,000 cd/m²之亮度及在1,000 cd/m²下大於70%之光度均一性的大面積OLED照明面板。
根據本發明之態樣，已經發展出另一種利用例如真空熱蒸發透過掩蔽遮罩沉積及圖案化金屬匯流排線的方法。一般而言，此等方法已經顯示比光微影更簡單及成本低。而且，根據本發明之其他態樣，可以避免濕式製程，這可用以減少保留在裝置中之濕氣量，從而延長裝置貨架壽命。如文中進一步論述，本發明者已展示，例如，一種大面積OLED照明面板，其具有包括第一電極、匯流排線、第二電極及發射層之裝置層結構，其中金屬匯流排線可透過VTE等圖案化，接著再直接沉積有機層。因為取消習知在金屬匯流排線上沉積以預防短路的非發射絕緣層，故可實現增大發射面積。對於給定光度，這可導致增加的總光輸出，其進而改良裝置壽命及效率。
例如，一種製造包括匯流排線(諸如在圖3中大體描繪之彼等)之OLED照明面板之方法可包括圖4中所示的步驟。該方法可以S400開始，其中可沉積第一電極。該第一電極可為陽極。在其他實施例中，第一電極可為陰極。在實施例中，第一電極可透過第一掩蔽遮罩沉積。該方法可繼續進行S410。
在S410中，可藉由氣相沉積透過第二掩蔽遮罩圖案化多條匯流排線。在實施例中，多條匯流排線之圖案化可包括真空熱蒸發(VTE)沉積、濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)或技術中已知的其他相似技術中至少一者。例如，多條匯流排線之圖案化可包括藉由VTE透過掩蔽遮罩沉積。如下文進一步論述，該圖案化可產生匯流排線所需的輪廓，而無需例如進一步的圖案化步驟。亦即，匯流排線之最終輪廓形狀可實質上對應於或直接對應於在S410中沉積之匯流排線的輪廓形狀。
應注意，圖4描繪一種製造方法，其中第一電極在匯流排線之前沉積。在另一替代性方法中，匯流排線可在第一電極之前沉積，例如，匯流排線可在基材上沉積及第一電極在匯流排線及基材上形成。此等方法可為有利的，例如提供一種無匯流排線及介於第一電極層與在該第一電極層上形成之有機堆疊之間的平面界面。該方法可以可選步驟S412繼續。
在S412中，可應用表面處理或其他方法以在S410中沉積之匯流排線上形成絕緣層。絕緣層可在金屬匯流排線及有機層之間提供絕緣以進一步預防短路。絕緣層還可預防電荷從金屬匯流排線注射進入有機層。在實施例中，因為例如漸進傾斜之匯流排線的改良性能，此等絕緣層，當存在時，可比按照常規技術形成之彼等具有相對薄的輪廓。在S412中形成絕緣層的一個實例可包括將Al匯流排線表面曝露至氧以形成氧化鋁層。另一實例可包括在匯流排線上透過掩蔽遮罩，VTE沉積絕緣材料諸如SiO₂或SiN°絕緣材料的厚度可為例如<1000 Å。在實施例中，此等步驟可在不破壞真空下進行，這可有助於提高產率及/或改良裝置壽命。在實施例中，絕緣層之最終輪廓形狀可對應於原沉積之絕緣層之輪廓形狀。該方法可以S420繼續。
在S420中，一或多層有機層，例如有機層堆疊可形成於匯流排線及第一電極上方及/或上面，或若在可選S412中形成絕緣層，有機層可形成於絕緣層及第一電極上方及/或上面。有機層可以透過第三掩蔽遮罩或藉由技術中已知的其他技術沉積。該方法可以S430繼續。
在S430中，第二電極可沉積在有機層上方。第二電極可為陰極。在其他實施例中，第二電極可為陽極。第二電極可例如利用第四掩蔽遮罩形成。因此，及如文中進一步所述，包括至少第一電極、多條匯流排線、有機層及第二電極之OLED堆疊可在不需任何濕式製程步驟下製造。圖4顯示一種處理流程，其中第一電極在有機層之前及在第二電極之前沉積。在一個替代性實施例中，第二電極在有機層之前及在第一電極之前沉積，其中匯流排線係與第一電極電接觸°在一個替代性實施例中，單獨的匯流排線係與第一及第二電極二者電接觸。一種示例性匯流排線輪廓之態樣顯示於圖5中。
如圖5所示，按照本發明之態樣沉積在第一電極500上方之匯流排線510可具有相對漸進的斜坡，無尖角。在圖5所示之實施例中，有機層520配置在匯流排線510上面，及第二電極530配置在有機層520上方。匯流排線510可為蒸發金屬。示例性匯流排線510之其他細節顯示於圖6中。
匯流排線510之側壁的傾斜角Θ較佳地可位於例如0.01°-30°範圍內。傾斜角Θ可表示基於介於分別在10%及90%之匯流排線厚度T處之匯流排線上之兩點之間的連線L而測量的角度。在實施例中，就沿基材表面之距離而言，匯流排線層之側壁之二階導數的最大絕對值可為例如<1.0。
應注意，有機層520可直接沉積在匯流排線510上，或視需要可存在在有機層與匯流排線之間形成的絕緣層。取決於例如裝置希望的操作，還可能存在替代性配置，諸如就匯流排線而言之電極的相對位置。
圖5及6所示之輪廓可與圖7所示之相關技術之裝置對比。如圖7所示，包括在ITO 700之上方之金屬匯流排線710之裝置可以藉由包括圖案化金屬匯流排線710之微影術步驟的技術而形成。至少部份因為側壁之尖角及/或相對陡峭的角度，其會誘發強烈局部電場及可潛在地引起電短路，故此等裝置上需要鈍化(絕緣)層720以避免在匯流排線710及OLED陰極之間短路(未顯示)。
發明者藉由形成之示例性匯流排線之側壁的3D原子力顯微鏡(AFM)影像顯示於圖8中。圖9中之詳細數據顯示斜坡之均方根(RMS)粗糙度值為約11 nm，及黑游標測量小峰的高度為約31 nm。在實施例中，沿側壁之匯流排線層的表面粗糙度可為例如約30 nm或更小。因為漸進側壁輪廓、平滑表面及減少的缺陷數，相較於文中進一步論述之其他匯流排線，以該方式沉積之匯流排線還可證實更加確保預防電短路°
此等匯流排線特徵可容許OLED裝置藉由簡單地將OLED結構在無需另一絕緣層或僅需比已知裝置相對薄及/或低電阻率絕緣層下形成於匯流排線上方而形成。例如，僅需要絕緣層以預防從匯流排線注射電荷而非預防電短路。
返回至圖4，發明者已經論證前述方法可以可用於製造OLED照明面板之全真空法進行。例如，陽極(諸如ITO或IZO)可以透過掩蔽遮罩濺鍍。接著，匯流排線可以配置在文中所述之陽極上°有機層則可以例如藉由VTE，透過掩蔽遮罩沉積，接著陰極透過單獨的掩蔽遮罩沉積。最後，薄膜包封亦可於真空中施加。或者，具有電極及匯流排線及可選絕緣層之基材完全可在真空中製造(例如圖4中之步驟S400-S410或S412)，及使用任何可利用的方法，其可以接著用於製造OLED照明面板。
發明者進一步表明透過掩蔽遮罩沉積之金屬匯流排線之漸進側壁輪廓受益於在氣相沉積期間之特徵化效果。因為可能有熱膨脹、旋轉或遮單的重量引起的在遮罩810與基材820之間的小間隙，如圖10A所示，其他材料可沉積在基材上面超出遮罩開口。例如，若間隙為100 μm，及介於遮罩開口邊緣與相對於材料來源中心之間的夾角為10°，其他材料沉積超出遮罩開口約500 μm。若材料之目標厚度為200 nm，可形成僅具有0.02°角度之側壁之極緩和的斜坡。或者，若間隙小於100 μm，則更少材料可沉積超出遮罩開口及因此可預料更陡峭的斜坡。遮罩與基材之間的間隙取決於諸如遮罩厚度、遮罩材料、基材材料、沉積溫度等。
此外，發明者已經發現經VTE沉積之匯流排線(或其它層諸如絕緣體等)之側壁輪廓可以藉由適當地定位材料來源並且結合某些遮罩厚度而控制，如在圖10A-10C中可見。例如，經VTE沉積之匯流排線800A之更尖銳的輪廓顯示於圖10A中，其中材料來源802定位在中心處，及匯流排線800A係透過掩蔽遮罩810沉積在基材820。清晰起見，圖10A-10C之頂部提供原沉積之匯流排線之自由視野圖。
若來源802係以某一角度遠離中心定位，輪廓變成如圖10B所示，其在兩邊緣具有斜坡。圖10B顯示不同位置之材料來源802。這僅為說明之目的。在製造環境下，沉積角度之相對變化最有可能藉由旋轉基材而材料來源保持固定而實現。
若遮罩810之厚度按照圖10C所示增加，可實現匯流排線800C之更加漸進的過渡。因此，多條匯流排線之圖案化可包括以下至少一者：(a)選擇掩蔽遮罩的厚度；(b)選擇材料來源相對於掩蔽遮罩之位置；及(c)基於匯流排線之希望的最終輪廓形狀，控制掩蔽遮罩與基材之間的間隙。就此而言，發明者已經發現掩蔽遮罩之厚度可較佳地位於約20微米至500微米之範圍內。
在一些實施例中，基於匯流排線之希望的最終輪廓形狀，隔片遮罩的厚度可用於控制基材與掩蔽遮罩之間的間隙。隔片遮罩可表示嵌入基材與圖案化掩蔽遮罩之間的掩蔽遮罩且具有比圖案化掩蔽遮罩(即掩蔽遮罩)更大的開口。圖案化掩蔽遮罩為具有使沉積材料成形為實質上相同圖案之特定開口的遮罩。然而，隔片遮罩通常為無特定特徵的開口遮罩及可容許透過圖案化掩蔽遮罩沉積實質上相同的圖案，即圖案可具有不同的邊緣輪廓或略寬但平面圖形狀實質上相同，如同僅透過圖案化掩蔽遮罩沉積般。隔片遮罩經嵌入以在基材與掩蔽遮罩之間產生間隙從而控制沉積層的輪廓。基於沉積層(即匯流排線)的目標輪廓形狀，可調節隔片遮罩的厚度以調整所需距離的間隙。
如圖11進一步所示，連接來源與基材820中心的線850與基材的法線860之間的角度Θ可較佳地位於約0°至20°之範圍內。
發明者已經製作VTE圖案化之匯流排線的SEM影像，其中可清楚地觀察到極其漸進的側壁輪廓與邊緣過渡。圖12為藉由VTE透過掩蔽遮罩沉積之2600 Å鋁匯流排線之(a)頂視圖與(b)測試圖的SEM影像。圖13A顯示測試VTE金屬匯流排線的示例性輪廓。曲線2之提取之傾斜角為約0.05°。該曲線上之點A及B的過渡速率亦決定側壁輪廓在邊緣過渡之平滑性。以數學分析，梯度改變的速率，即在匯流排線頂部與底部過渡的平滑程度，可以藉由計算就此等位置沿基材表面的距離而言之曲線的二階導數而獲得。為提取點A及B之二階導數，輪廓曲線首先經平滑處理以消除由粗糙度引起的局部輪廓變化。然後計算平滑曲線之二階導數。在圖13B中繪製之曲線2之二階導數的最大絕對值為約0.06，其比來自於常規處理技術之曲線小約40倍，如下文進一步所述。因此，在實施例中，匯流排線在兩邊緣(點A及B)之二階導數的最大絕對值可為例如小於1.0、小於0.5、小於0.1等。
製造根據本發明之態樣之OLED照明面板之另一示例性方法可包括在圖14中顯示的步驟。該方法可以提供基材的S1400開始。在實施例中，基材可為例如可撓性基材，及可包括塑料材料諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。基材可具有例如小於1 mm、小於500 μm或小於200 μm的厚度。該方法可以S1410繼續。
在S1410中，可沉積第一電極。第一電極可為陽極。在其他實施例中，第一電極可為陰極。在實施例中，第一電極可例如藉由濺鍍透過第一掩蔽遮罩沉積。應注意，基材亦可包括預先圖案化之第一電極，諸如在S1400A中所示。在此等情形下，如在可選S1410中所論述，可不需要進行第一電極圖案化步驟。該方法可以可選步驟S1420繼續。
在S1420中，多條匯流排線可經沉積，及可例如藉由氣相沉積透過第二掩蔽遮罩圖案化。在實施例中，多條匯流排線之圖案化可包括真空熱蒸發(VTE)沉積、濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)或其他技術中已知的相似技術中至少一者。例如，多條匯流排線之圖案化可包括藉由VTE，透過掩蔽遮罩沉積。如下文進一步論述，該圖案化可導致匯流排線所需的輪廓而無需例如進一步圖案化步驟。亦即，匯流排線之最終輪廓形狀可實質上對應於或直接對應於如在S1420中所沉積之匯流排線的輪廓形狀。在一些實施例中，匯流排線可經配置與陰極接觸以改良陰極傳導性。在一些實施例中，匯流排線對於裝置為非必須的，即步驟S1420可不存在。例如，若面板包括多個小面積像素及其等串聯電連接，則不需要匯流排線。該方法可以可選步驟S1430繼續。
在S1430中，絕緣體可經沉積，及可例如藉由氣相沉積透過第三掩蔽遮罩圖案化。在實施例中，絕緣體之圖案化可包括真空熱蒸發(VTE)沉積、濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)或其他技術中已知的相似技術中至少一者。例如，絕緣體之圖案化可包括藉由VTE，透過掩蔽遮罩沉積。如文中所論述，該圖案化可導致絕緣體所需的輪廓而無需例如進一步圖案化步驟。亦即，絕緣體之最終輪廓形狀可實質上對應於或直接對應於如在S1430中所沉積之絕緣體的輪廓形狀。亦應注意絕緣體之圖案可實質上對應於多條匯流排線。絕緣體可覆蓋匯流排線、沿匯流排線邊緣分佈或覆蓋第一電極之邊緣等。
在一些實施例中，絕緣體可透過與匯流排線相同的掩蔽遮罩(即第二掩蔽遮罩)圖案化，但利用隔片遮罩以產生更寬的圖案，以使絕緣體可以覆蓋匯流排線邊緣以預防短路。隔片遮罩經嵌入以在基材與第二掩蔽遮罩之間產生間隙以控制沉積層的輪廓。基於絕緣體之目標輪廓形狀，例如比匯流排線更寬的圖案或更漸進的邊緣輪廓，該隔片遮罩的厚度可經調節以調整基材與第二掩蔽遮罩之間的間隙達所需距離。這可以減少用於製造中之掩蔽遮罩的數量及因而降低製造成本。
如上所述，絕緣體一般表示阻斷電流在裝置之不同層或結構之間流動的材料或結構。絕緣體可包括自身傳導或半傳導但在完成之裝置中不會轉移電荷至其他層或從其他層轉移電荷的材料。此等材料可為本身不傳導電荷之介電材料諸如SiO₂。在一些實施例中，絕緣體可為寬頻帶間隙材料，諸如LiF。在其他實施例中，絕緣體可為電子傳輸層(ETL)或電子注射層(EIL)材料，諸如Liq，當其配置在陽極與有機層之間時形成反向偏壓二極體及因而阻斷電荷流動。
絕緣體可在金屬匯流排線與有機層之間提供絕緣從而進一步預防短路。絕緣體亦可預防電荷從金屬匯流排線注射進入有機層。在實施例中，此等絕緣體，當存在時，因為例如漸進傾斜之匯流排線的改良性能，可具有比利用常規技術形成之彼等相對薄的輪廓。一種形成絕緣體之較佳方法為透過VTE沉積之LiF。在S1430中，另一形成絕緣層之實例可包括將Al匯流排線表面曝露至氧以形成氧化鋁層。在其他實施例中，絕緣體可為利用電漿增強化學氣相沈積(PECVD)透過掩蔽遮罩配置之SiO₂層。亦可使用其他薄膜沉積法諸如電子束蒸發。
一種沉積絕緣體之優勢在於其可以更高的不對準公差界定主動區域。實際中，實際的主動區域因為以兩個分開步驟完成之陽極與陰極之間的不對準而不同於設計的數值。然而，若存在絕緣體，即使主動區域的位置因陽極、絕緣體與陰極之間之不對準而偏移，面積可以保持相同。這是因為主動區域係由在單一步驟沉積之絕緣體所界定。
應注意，絕緣體可配置在電極諸如陽極或陰極之部分上方，同時覆蓋匯流排線。或者，因為經掩蔽遮罩圖案化之金屬匯流排線之溫和邊緣輪廓及平滑表面，絕緣體不必覆蓋匯流排線。亦即有機層堆疊可以直接配置在匯流排線頂部上而無需中介的絕緣體。在一些實施例中，可不存在匯流排線，例如串聯連接之像素，絕緣體仍可配置在有機層與第一電極之間，及絕緣體可覆蓋第一電極之邊緣以預防與有機層堆疊接觸。
絕緣體之厚度可為例如<4000 Å、<3000 Å、<2000 Å或<1000 Å。在一些實施例中，絕緣體之厚度至少與匯流排線相同以預防短路。更具體言之，絕緣體之厚度至少比匯流排線大30%。在實施例中，此等步驟可在不破壞真空下進行，其可有助於提高產率及/或改良裝置壽命。在實施例中，絕緣體之最終輪廓形狀可對應於原沉積之絕緣體的輪廓形狀。其他可選表面處理亦可在S1430中進行。該方法可以步驟S1440繼續。
在S1440中，一或多層有機層，例如有機層堆疊可形成於匯流排線及第一電極上方及/或上面，或若絕緣體在可選S1430中形成，有機層可形成於絕緣體及第一電極上方及/或上面。有機層可透過第四掩蔽遮罩或藉由技術中已知的其他技術沉積。該方法可以S1450繼續。
在S1450中，第二電極可沉積在有機層上方。第二電極可為陰極。在其他實施例中，第二電極可為陽極。第二電極可例如利用第五掩蔽遮罩形成。因此，如文中進一步所述，包括至少第一電極、多條匯流排線、絕緣體、有機層堆疊及第二電極之OLED堆疊可在無任何濕式製程步驟下製造。或者，第二電極可為陽極及可利用光微影預先圖案化。
在實施例中，第一電極層、絕緣體、匯流排線、有機層及第二電極層之形成均可利用真空沉積透過掩蔽遮罩而完成，其中該等層之最終輪廓對應於原沉積之輪廓形狀。在一些實施例中，所有層之形成可保持在真空下。在一些實施例中，製造過程可在不破壞真空下完成，例如可在藉由圖14中之方塊1490劃定的步驟中保持真空。或者，第一電極可為陽極及可透過光微影圖案化預先確定。在實施例中，方塊1490中之步驟亦可在無濕式製程下進行。在其他實施例中，基材離開真空室以進行其他處理。例如，在濺鍍後需要高溫烘焙以使陽極退火。另一實例為將金屬匯流排線暴露至空氣環境中以藉由在金屬表面上形成天然氧化物而預防透過金屬匯流排線注射電荷。而且，此等處理不需改變層的輪廓形狀。在一些實施例中，薄膜包封可進一步在PECVD室內部透過掩蔽遮罩而施加於完成之裝置的頂部。
本發明者已經論證前述方法可以可用於製造OLED照明面板之全真空法進行。例如，陽極(諸如ITO或IZO)可以透過掩蔽遮罩濺鍍。然後，匯流排線可以配置在文中所述之陽極上。絕緣體可例如藉由VTE透過掩蔽遮罩配置在匯流排線上。接著，有機層可以例如藉由VTE透過掩蔽遮罩沉積，然後陰極透過單獨的掩蔽遮罩沉積。最後，薄膜包封亦可在真空中施加。或者，可提供具有預先圖案化之電極的基材(如在S1400A中)及剩餘處理在真空中完成(例如步驟S1420-S1450)。
亦應注意用於匯流排線之各種圖案均為可能的，包括例如如圖15所示之分支狀圖案。一種示例性裝置係以具有如圖15所示之由2600 Å製成之相似分支狀結構的金屬匯流排線而構建。顯示完成之15 cm×15 cm OLED照明面板以利用該結構提供均一光輸出，及重要言之，在延長操作後，OLED照明面板不發生任何電短路。
亦提供包括文中所述特徵之有機發光裝置。該裝置可包括陽極、陰極及配置在陽極與陰極之間之有機發射層。有機發射層可包括主體及螢光摻雜物，其示例性材料在對照測試結果之後於下文進一步論述。對照測試結果
為將本文主題與更常規方法比較，發明者利用剝離處理之金屬匯流排線製造大面積白色OLED照明面板。在該實例中，不包括絕緣層。構建與圖3中所示相似的面板結構。有機材料直接與電極及匯流排線接觸。如圖3所示，面板布局包括9個條帶，各OLED條之陽極係與金屬匯流排線連接。匯流排線係利用光微影圖案化，其中6000 Å金係利用電子束蒸發，接著進行剝離處理。OLED按順序包括陽極(1200 Å厚的ITO)、電洞注射層(100 Å厚的LG101，可獲自LG Chemicals，Korea)、電洞傳輸層(3800 Å厚的NPD)、第一發射層(摻雜有24%綠色摻雜物A及0.6%紅色摻雜物A之200 Å厚的主體B)、第二發射層(摻雜有20%藍色摻雜物A之75 Å厚的藍色主體A)、阻斷層(50 Å厚的藍色主體A)、層(450 Å厚的獲自LG Chemicals，Korea的LG201層，及40% LiQ)及陰極(10 Å厚的LiQ(喹啉酸鋰(lithium quinolate))層及1000 Å厚的Al層)。
發明者發現面板起初被點亮，然而，在一條匯流排線上極快地形成短路。分別參見圖22A及22B陰極側面及陽極側面圖。該單一短路就導致整個面板失效。
進一步分析顯示透過剝離處理形成之金屬匯流排線可具有尖銳的側壁輪廓。圖16顯示沉積在ITO陽極上之6000 Å金匯流排線之掃描電子顯微鏡(SEM)影像(取自上方至側面)。金屬層之側視圖的SEM影像顯示於圖17中。發現側壁的斜坡平均約45°-47°。在側壁頂部及基底的尖角會誘發可潛在地引起電短路的強烈局部電場。此外，有機層具有一般位於數百奈米範圍內之總厚度，及難以在高且陡峭的側壁上方均勻塗覆此等薄層材料。這也會導致在匯流排線具有最薄覆蓋處之強烈局部電場，其可潛在地導致電短路。電短路還可能在有機層無法覆蓋匯流排線的位置發生。
除了在匯流排線邊緣急劇的過渡外，如圖18所示，在金屬側壁上之粗糙度亦有數百奈米大小。此等尖峰亦可充當潛在的短路途經。最後，由光微影及剝離引入的顆粒缺陷也會引起電短路。一種該缺陷顯示於圖18中。為預防短路，通常需要後續的保護絕緣層(例如聚醯亞胺或SiO₂)來覆蓋匯流排線。
需要重疊絕緣層之區域覆蓋部份發射面積及降低OLED照明面板之填充因子，如圖19所示。而且，剝離法中涉及濕式製程，諸如顯影及溶解。聚合物絕緣體在處理期間(或甚至在處理後，在基材儲存期間)可容易吸收濕氣及因此水分可保留在裝置中，減少貨架壽命。而且，光微影及剝離處理更容易產生缺陷，其可導致裝置無可挽救地失效。最後，光微影及剝離處理為耗時且成本昂貴的方法。
來自剝離處理之匯流排線輪廓可以利用不同光阻劑及調整曝光時間等修改。圖20顯示由改進之光微影法製造之金屬匯流排線輪廓之(a)頂視圖及(b)側視圖的掃描電子顯微鏡(SEM)影像。以包括剝離處理之改進方式沉積及圖案化之匯流排線側壁輪廓繪製於圖21A中。由該曲線1提取之傾斜角減少至約33°。利用改進之剝離處理，該側壁輪廓之傾斜角比圖17中利用常規剝離處理實現的小47°。然而，側壁之該斜坡仍然夠陡峭的以引起強烈局部電場及潛在的電短路。曲線1之二階導數的提取之最大絕對值為約2.375，如圖21B所示。因此，將圖21A及21B所示結果與此前就圖13A及13B所論述之示例性實施例相比，可見藉由VTE透過掩蔽遮罩沉積之匯流排線可導致具有比剝離處理之匯流排線高出數量級的平滑度的過渡。
具有相對平滑輪廓之金屬匯流排線的益處可包括：1)因平滑的側壁過渡使得短路更少，2)因取消絕緣層使得發射面積更大，這可使效率更高及對於恒定的光輸出而言操作壽命更長，3)因取消絕緣層，因此水不再儲存在裝置內，使得貨架壽命更長，4)因為更少的來自更少的操作步驟之顆粒使得短路或視覺缺陷更少，及/或5)因為減少取消光微影法使得成本更低。儘管文中論述之具體實施例已經使用例如真空熱蒸發(VTE)以圖案化匯流排線，其他氣相沉積系統可包括濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)。
如文中所論述，可製造根據本發明之態樣之裝置，其包括無絕緣體之匯流排線(諸如在以上論述之實例中)以及匯流排線包括絕緣體之裝置。製造另一示例性測試裝置，其具有包括絕緣體之匯流排線及如下所論述。
本文主題之其他態樣係利用參考圖14所述之方法藉由製造15 cm×15 cm大面積白色OLED照明面板而測試。圖23顯示各層之面板布局，包括陽極(圖23A)、匯流排線(圖23B)、絕緣體(圖23C)、有機層(圖23D)及陰極(圖23E)。各匯流排線為1.7 mm寬及絕緣體為2.3 mm寬，該絕緣體覆蓋匯流排線各邊0.3 mm。面板包括13根光條帶及各條帶為7.4 mm×121 mm。條帶之主動區域係藉由絕緣體格柵界定。該面板之孔徑比為76%，定義為總的主動區域與主動區域之輪廓面積的比。陽極、有機層及陰極均為共用層，即未分區段，因此整個面板為一個單一裝置。包括陽極、匯流排線、絕緣體格柵、有機層及陰極層之整體布局係繪製於圖23F中。匯流排線及絕緣體格柵之特寫示意圖顯示於圖24中。
如圖24所示，絕緣體具有實質上對應於匯流排線之圖案的圖案。各匯流排線2410係藉由延伸超過匯流排線寬度的絕緣體2420覆蓋，在該情形下，匯流排線各邊覆蓋0.3 mm。在匯流排線上方之絕緣體之覆蓋係由處理公差以及沉積之掩蔽效果所決定。如文中所用，實質上對應於匯流排線之圖案的絕緣體在平面圖中可包括重疊區及延伸超過匯流排線邊緣之區域，諸如在24圖中所示。主動區域2430係由各絕緣體2420所界定。
OLED裝置結構顯示於圖25中。各OLED按順序包括陽極(1200 Å厚的IZO)、電洞注射層(100 Å厚的LG101，可獲自LG Chemicals，Korea)、電洞傳輸層(3800 Å厚的NPD)、第一發射層(摻雜有24%綠色摻雜物A及0.6%紅色摻雜物A之200 Å厚的主體B)、第二發射層(摻雜有20%藍色摻雜物A之75 Å厚的藍色主體A)、阻斷層(50 Å厚的藍色主體A)、層(450 Å厚的獲自LG Chemicals，Korea的LG201層及60% LiQ)及陰極(10 Å厚的LiQ(喹啉酸鋰)層及1000 Å厚的Al層)。可用於形成裝置堆疊之OLED材料的一些實例顯示如下。匯流排線為透過VTE沉積之3000 Å鋁。絕緣體格柵為透過VTE沉積之4000 Å LiF。
圖26顯示完成之OLED發光面板之照片影像。面板上之位置1-9之光度及CIE顏色座標係在5 V、294 mA下測量及概括列於表I中。整體面板之均一性為94%，其由介於在點2及5之1250 cd/m²之最低光度及點1之1330 cd/m²之最高光度之間的比而計算。在一個條帶內(諸如點2、9、6)計算之均一性為98%。因此，發明者已經論證面板亮度大於1,000 cd/m²，及面板之光度均一性在1,000 cd/m²明顯大於70%。

一種諸如上述之方法的優勢在於可以高效將大面積可撓性OLED照明面板構建於低成本塑料基材上。兩種類型之可撓性基材一般可用於製造OLED發光面板：薄金屬箔及塑料。僅頂部發射裝置可構建於金屬箔上，因為基材為不透明的。然而，因為在頂部發射裝置中常用的腔穴結構之故，難以實現在所有視角均一的白光。相反，塑料基材為透明的及因此可用於製造高效底部發射可撓性白色OLED照明面板。然而，塑料的一個劣勢在於低處理溫度限制。典型光微影圖案化需要至少120℃烘焙，及為了完全固化絕緣體諸如聚醯亞胺，可能需要250℃烘焙。因此，低成本塑料諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)不能利用微影術步驟處理。儘管聚萘二甲酸乙二酯(PEN)可經受超過250℃的溫度，但其為昂貴的塑料種類。藉由取消微影術步驟，如文中所詳述，可顯著降低處理溫度。因此，利用簡化全真空沉積法，高效底部發射可撓性OLED燈可構建於低成本塑料上。
利用此等方法，發明者展示位於塑料基材上之15 cm×15 cm大面積可撓性白色OLED照明面板，如圖27A-27C之照片所示。基材為140 μm厚之極化PEN。面板布局係與圖23及24中所闡明的相同。薄膜包封係沉積在陰極頂部之上。薄膜包封係在PECVD室於真空下形成。
如前所述，單一裝置可表示可分開處理的OLED裝置。例如，整個面板可包括僅一個單一裝置，諸如在圖15及26中所示之實例，此係因為陽極、有機層及陰極均為共用層。或者，面板可包括多個像素。若各像素具有至少一個經圖案化成彼此電學分離及可單個處理之區段，各像素可視為單一裝置。例如，若像素串聯連接，各像素可視為單一裝置。然而，若區段化電極彼此透過匯流排線連接，整個面板仍可視為一個單一裝置，此係因為所有像素並聯連接及不可單獨處理。與其他材料之組合
文中所述之可用於有機發光裝置中之特定層的材料可與大範圍在裝置中存在之其他材料組合。例如，文中揭示之發射摻雜物可與大範圍主體、傳輸層、阻斷層、注射層、電極及可存在之其它層結合。下文所述或引用之材料為可用於與文中揭示之化合物組合的材料的非限制性實例，及一般技術者容易查詢文獻以識別可用於組合中之其他材料。 HIL/HTL：
用於本發明之電洞注射/傳輸材料未受特定限制，及只要化合物一般可用作電洞注射/傳輸材料，則可使用任何化合物。材料之實例包括但不限於酞菁或卟啉衍生物；芳香族胺衍生物；吲哚并咔唑衍生物；包含氟烴之聚合物；具有傳導性摻雜物之聚合物；傳導性聚合物諸如PEDOT/PSS；來源於化合物諸如磷酸及矽烷衍生物之自組裝單體；金屬氧化物衍生物諸如MoO_x；p型半導體有機化合物諸如1,4,5,8,9,12-六氮雜三伸苯基六甲腈；金屬錯合物及可交聯化合物。
用於HIL或HTL之芳香族胺衍生物的實例包括但不限於下列一般結構：
各Ar¹至Ar⁹係選自包括芳香族烴環狀化合物之群，諸如苯、聯苯基、三苯基、三伸苯基、萘、蒽、萉、菲、茀、芘、、苝、薁；包括芳香族雜環化合物之群，諸如二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠、嘧啶、吡、三、噁、噁噻、噁二、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞、蝶啶、氧雜蒽、吖啶、啡、啡噻、啡噁、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶，及硒吩并二吡啶；及選自包括2至10個選自芳香族烴環狀基團及芳香族雜環基團之相同類型或不同類型之基團且彼此直接鍵連或經由至少一個氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、磷原子、硼原子、鏈狀結構單元及脂肪族環狀基團鍵連的環狀結構單元之群。其中各Ar係進一步藉由選自包括如下之群的取代基取代：氫、氘、鹵化物、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、甲矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、巰基、亞磺醯基、磺醯基、膦基以及其組合。
在一個態樣中，Ar¹至Ar⁹獨立地選自包括如下之群：
k為1至20之整數；X¹至X⁸為CH或N；Ar¹為以上定義之相同基團。
用於HIL或HTL中之金屬錯合物之實例包括但不限於下列通式：
M為原子量大於40的金屬；(Y¹-Y²)為雙齒配體，Y¹及Y²獨立地選自C、N、O、P及S；L為輔助配體；m為1至可連接至金屬之配體之最大數量的整數值；及m+n為可連接至金屬之配體的最大數。
在一個態樣中，(Y¹-Y²)為2-苯基吡啶衍生物。
在另一態樣中，(Y¹-Y²)為碳烯配體。
在另一態樣中，M係選自Ir、Pt、Os及Zn。
在另一態樣中，金屬錯合物在溶液與Fc⁺/Fc電對中具有小於約0.6 V之最小氧化電位。主體：
本發明之有機EL裝置之發光層較佳地包含至少一種金屬錯合物作為發光材料，及包含利用金屬錯合物作為摻雜物材料的主體材料。主體材料之實例不受限制，及只要主體之三重態能量大於摻雜物，則可使用任何金屬錯合物或有機化合物。
用作主體之金屬錯合物之實例較佳地具有下列通式：
M為金屬；(Y³-Y⁴)為雙齒配體，Y³及Y⁴獨立地選自C、N、O、P及S；L為輔助配體；m為1至可連接至金屬之配體之最大數量的整數值；及m+n為可連接至金屬之配體的最大數。
在一個態樣中，金屬錯合物為：
(O-N)為具有配位至O及N原子之金屬的雙齒配體。
在另一態樣中，M係選自Ir及Pt。
在另一態樣中，(Y³-Y⁴)為碳烯配體。
用作主體之有機化合物之實例係選自包括芳香族烴環狀化合物之群，諸如苯、聯苯基、三苯基、三伸苯基、萘、蒽、萉、菲、茀、芘、、苝、薁；包括芳香族雜環化合物之群，諸如二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硒吩、呋喃、噻吩、苯并呋喃、苯并噻吩、苯并硒吩、咔唑、吲哚并咔唑、吡啶基吲哚、吡咯并二吡啶、吡唑、咪唑、三唑、噁唑、噻唑、噁二唑、噁三唑、二噁唑、噻二唑、吡啶、噠、嘧啶、吡、三、噁、噁噻、噁二、吲哚、苯并咪唑、吲唑、吲、苯并噁唑、苯并異噁唑、苯并噻唑、喹啉、異喹啉、啉、喹唑啉、喹喔啉、萘啶、酞、蝶啶、氧雜蒽、吖啶、啡、啡噻、啡噁、苯并呋喃并吡啶、呋喃并二吡啶、苯并噻吩并吡啶、噻吩并二吡啶、苯并硒吩并吡啶，及硒吩并二吡啶；及選自包括2至10個選自芳香族烴環狀基團及芳香族雜環基團之相同類型或不同類型之基團且彼此直接鍵連或經由至少一個氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、磷原子、硼原子、鏈狀結構單元及脂肪族環狀基團鍵連的環狀結構單元之群。其中各基團係進一步藉由選自包括如下之群的取代基取代：氫、氘、鹵化物、烷基、環烷基、雜烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基、胺基、甲矽烷基、烯基、環烯基、雜烯基、炔基、芳基、雜芳基、醯基、羰基、羧酸、酯、腈、異腈、巰基、亞磺醯基、磺醯基、膦基以及其組合。
在一個態樣中，主體化合物在分子中包含至少一個下列基團：
R¹至R⁷獨立地選自包括如下之群氫、烷基、烷氧基、胺基、烯基、炔基、芳烷基、雜烷基、芳基及雜芳基，當其為芳基或雜芳基時，其具有與上述Ar相似的定義。
k為0至20之整數。
X¹至X⁸係選自CH或N。 HBL：
電洞阻斷層(HBL)可用於減少離開發射層之電洞及/或激子的數量。裝置中存在該阻斷層可產生比缺乏阻斷層之相似裝置實質上更高的效率。而且，阻斷層可用於將發射限定在OLED的所希望區域。
在一個態樣中，用於HBL中之化合物包含上述用作主體的相同分子。
在另一態樣中，用於HBL中之化合物在分子中包含至少一種下列基團：
k為0至20之整數；L為輔助配體，m為1至3之整數。 ETL：
電子傳輸層(ETL)可包括能傳輸電子的材料。電子傳輸層可為固有的(未摻雜的)或摻雜的。摻雜可用於提高傳導性。ETL材料之實例不受特定限制及只要其一般用於傳輸電子，可以使用任何金屬錯合物或有機化合物。
在一個態樣中，用於ETL中之化合物在分子中包含至少一個下列基團：
R¹係選自包括如下之群氫、烷基、烷氧基、胺基、烯基、炔基、芳烷基、雜烷基、芳基及雜芳基，當其為芳基或雜芳基時，其具有與上述Ar相似的定義。
Ar¹至Ar³具有與上述Ar相似的定義。
k為0至20之整數。
X¹至X⁸係選自CH或N。
在另一態樣中，用於ETL中之金屬錯合物包括但不限於下列通式：
(O-N)或(N-N)為具有配位至O、N或N、N原子之金屬的雙齒配體；L為輔助配體；m為1至可連接至金屬之配體之最大數量的整數值。
在用於OLED裝置之各層中之任何上述化合物中，氫原子可部份或完全氘化。
除文中所揭示之材料外及/或與之組合，許多電洞注射材料、電洞傳輸材料、主體材料、摻雜物、激子/電洞阻斷層材料、電子傳輸及電子注射材料可用於OLED中。可與文中揭示之材料組合用於OLED中之材料的非限制性實例列於下表II中。表II列出材料之非限制性類別、各類化合物之非限制性實例及揭示材料之參考。
應理解文中所述之各種實施例僅為示例性的，而不欲限制本發明之範圍。例如，文中所述之許多材料及結構可以在不偏離本發明之精神下由其他材料及結構替代。擅長該項技術者明瞭，主張之本發明可因而包括文中所述特定實例及較佳實施例之變式。應理解，本發明如何操作之各種理論不欲具有限制性。
100‧‧‧裝置
110‧‧‧基材
115‧‧‧陽極
120‧‧‧電洞注射層
125‧‧‧電洞傳輸層
130‧‧‧電子阻斷層
135‧‧‧發射層
140‧‧‧電洞阻斷層
145‧‧‧電子傳輸層
150‧‧‧電子注射層
155‧‧‧保護層
160‧‧‧陰極
162‧‧‧第一傳導層
164‧‧‧第二傳導層
200‧‧‧倒置式OLED
210‧‧‧基材
215‧‧‧陰極
220‧‧‧發射層
225‧‧‧電洞傳輸層
230‧‧‧陽極
300‧‧‧OLED面板
310‧‧‧發射面積
320‧‧‧匯流排線
500‧‧‧第一電極
510‧‧‧匯流排線
520‧‧‧有機層
530‧‧‧第二電極
700‧‧‧ITO
710‧‧‧金屬匯流排線
720‧‧‧絕緣層
800A‧‧‧匯流排線
800C‧‧‧匯流排線
802‧‧‧材料來源
810‧‧‧掩蔽遮罩
820‧‧‧基材
850‧‧‧來源與基材中心的線
860‧‧‧基材的法線
1490‧‧‧方塊
2410‧‧‧匯流排線
2420‧‧‧絕緣體
2430‧‧‧主動區域
圖1顯示有機發光裝置。
圖2顯示不具有單獨電子傳輸層之倒置有機發光裝置。
圖3顯示具有金屬匯流排線之示例性大面積OLED照明面板。
圖4顯示一種用於形成根據本發明之態樣之OLED裝置的示例性方法。
圖5顯示面板結構之示例性橫截面圖，其中OLED堆疊之有機材料直接配置在匯流排線與陽極上。
圖6顯示根據本發明之態樣之匯流排線輪廓的其他細節。
圖7顯示在金屬匯流排線頂部之上包括鈍化(絕緣層)之相關技術OLED裝置結構。
圖8顯示藉由VTE，透過掩蔽遮罩沉積之匯流排線之斜坡的3D AFM影像。
圖9顯示有關VTE斜坡之RMS的數據。
圖10A-10C顯示根據本發明之態樣之來源位置與遮罩厚度改變的各種態樣。
圖11顯示根據本發明之態樣之有關來源位置的其他細節。
圖12顯示藉由VTE，透過掩蔽遮罩沉積之2600 Å鋁匯流排線之(a)頂視圖及(b)測試圖的SEM影像。
圖13A-13B顯示VTE沉積之鋁金屬匯流排線之測試結果(曲線2)，及曲線2之二階導數，其中獲得約0.06之平滑過渡。
圖14顯示用於形成根據本發明之態樣之OLED裝置的另一示例性方法。
圖15描繪根據本發明之態樣之示例性匯流排線圖案。
圖16為透過剝離處理圖案化之6000 Å金屬匯流排線輪廓之傾斜頂視圖之SEM影像。
圖17為透過剝離處理圖案化之6000 Å金屬匯流排線輪廓之側視圖之SEM影像。
圖18為透過剝離處理圖案化之金屬匯流排線輪廓之SEM影像，其中可見粗糙邊緣表面及缺陷。
圖19為包括覆蓋匯流排線邊緣之絕緣層的裝置的橫截面圖。
圖20顯示由改進之光微影法製造之金屬匯流排線輪廓之(a)頂視圖及(b)側視圖之掃描電子顯微鏡(SEM)影像。
圖21A-21B顯示透過改進之剝離處理形成之金屬匯流排線的輪廓(曲線1)及曲線1之二階導數。
圖22A-22B顯示從陰極側面及陽極側面觀察之匯流排線上短路點的顯微影像。
圖23A-23F顯示併入根據本發明之態樣之具有匯流排線與絕緣體之大面積OLED照明面板中之各層的平面圖示意性細節。
圖24顯示在圖23A-23F中所示之裝置之匯流排線、絕緣體及主動區域的其他細節。
圖25顯示與在圖23A-23F中所示之裝置之堆疊中併入之材料有關的其他細節。
圖26為根據本發明之態樣構建之示例性照明面板圖，其包括識別測試區的標識。
圖27A-27C為根據本發明之態樣構建之示例性可撓性照明面板的照片。
500‧‧‧第一電極
510‧‧‧匯流排線

权利要求:
Claims (120)
[1] 一種製造具有複數條匯流排線之發光面板的方法，該方法包括：形成第一電極層；在該第一電極層之上形成有機層堆疊；在該有機層堆疊之上形成第二電極層；及藉由氣相沉積透過掩蔽遮罩圖案化複數條匯流排線，其中該複數條匯流排線係以與第一電極層及第二電極層中之至少一者電接觸而形成，及該等匯流排線之最終輪廓形狀對應於原沉積之匯流排線的輪廓形狀。
[2] 如請求項1之方法，其中該複數條匯流排線係與該第一電極層電接觸，及該第一電極層係在該複數條匯流排線之前沉積。
[3] 如請求項1之方法，其中該複數條匯流排線係與該第一電極層電接觸，及該複數條匯流排線係在該第一電極層之前沉積。
[4] 如請求項1之方法，其中該複數條匯流排線之圖案化包括真空熱蒸發(VTE)沉積、濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)中之至少一者。
[5] 如請求項1之方法，其中該複數條匯流排線之圖案化包括藉由VTE透過掩蔽遮罩沉積。
[6] 如請求項5之方法，其中該複數條匯流排線之圖案化包括以下至少一者：(a)選擇掩蔽遮罩的厚度；(b)選擇材料來源相對於掩蔽遮罩之位置；及(c)基於匯流排線之期望的最終輪廓形狀，控制基材與掩蔽遮罩之間的間隙。
[7] 如請求項6之方法，其中將隔片遮罩嵌入該基材與該掩蔽遮罩之間，及基於匯流排線之期望的最終輪廓，使用該隔片遮罩的厚度來控制該基材與該掩蔽遮罩之間的間隙。
[8] 如請求項6之方法，其中該掩蔽遮罩的厚度係在約20微米至500微米之範圍內。
[9] 如請求項6之方法，其中介於連接來源與基材中心之線與基材法線之間的角度係在約0°至20°之範圍內。
[10] 如請求項1之方法，其中該有機層堆疊係於該等匯流排線上生長，而無中介的絕緣體。
[11] 如請求項1之方法，其進一步包括在該有機層堆疊與該等匯流排線之間形成絕緣體。
[12] 如請求項11之方法，其中該絕緣體係在不破壞在藉由氣相沉積圖案化該等匯流排線期間形成的真空下形成。
[13] 如請求項12之方法，其中該絕緣層的最終輪廓形狀係對應於該絕緣層的原沉積輪廓形狀。
[14] 如請求項1之方法，其中該第一電極層之形成、該有機層堆疊之形成、該第二電極層之形成及該等匯流排線之圖案化係在無濕式處理下進行。
[15] 如請求項1之方法，其中該匯流排線之側壁的傾斜角係在0.01°-30°之範圍內，該傾斜角係基於介於分別在該匯流排線厚度之10%及90%處之匯流排線側壁上之兩點之間的連線測量。
[16] 如請求項15之方法，其中該匯流排線層之側壁輪廓之二階導數的最大絕對值為<1.0。
[17] 如請求項15之方法，其中沿側壁之該匯流排線層之表面粗糙度之均方根(RMS)為<30 nm。
[18] 如請求項1之方法，其中該複數條匯流排線係與該第二電極層電接觸，及該第二電極層係在該複數條匯流排線之前沉積。
[19] 如請求項1之方法，其中該複數條匯流排線係與該第二電極層電接觸，及該複數條匯流排線係在該第二電極層之前沉積。
[20] 如請求項1之方法，其中第一組複數條匯流排線係與該第一電極層電接觸及第二組複數條匯流排線係與該第二電極層電接觸。
[21] 一種發光面板，其包括：第一電極層；在該第一電極層之上之有機層堆疊；在該有機層堆疊之上之第二電極層；及與該第一電極層及該第二電極層中之至少一者電接觸之複數條匯流排線；其中，該複數條匯流排線係藉由氣相沉積法沉積且具有原沉積之最終輪廓形狀。
[22] 如請求項21之面板，其中該複數條匯流排線係與該第一電極層電接觸，及該第一電極層係在該複數條匯流排線之前沉積。
[23] 如請求項21之面板，其中該複數條匯流排線係與該第一電極層電接觸，及該複數條匯流排線係在該第一電極層之前沉積。
[24] 如請求項21之面板，其中該有機層堆疊係位在該等匯流排線上而無中介的絕緣體。
[25] 如請求項21之面板，其進一步包括在該有機層堆疊與該等匯流排線之間之絕緣體。
[26] 如請求項25之面板，其中該絕緣體係在不破壞在藉由氣相沉積圖案化該等匯流排線期間形成的真空下形成。
[27] 如請求項26之面板，其中該絕緣層的最終輪廓形狀係對應於原沉積之絕緣層的輪廓形狀。
[28] 如請求項21之面板，其中該匯流排線層之側壁的傾斜角係在0.01°-30°之範圍內。
[29] 如請求項28之面板，其中該匯流排線層之側壁輪廓之二階導數的最大絕對值為<1.0。
[30] 如請求項29之面板，其中沿側壁輪廓之該匯流排線層之RMS表面粗糙度為<30 nm。
[31] 如請求項21之面板，其中該複數條匯流排線係與該第二電極層電接觸，及該第二電極層係在該複數條匯流排線之前沉積。
[32] 如請求項21之面板，其中該複數條匯流排線係與該第二電極層電接觸，及該複數條匯流排線係在該第二電極層之前沉積。
[33] 如請求項21之面板，其中第一組複數條匯流排線係與該第一電極層電接觸及第二組複數條匯流排線係與該第二電極層電接觸。
[34] 如請求項21之面板，其中該等匯流排線係藉由氣相沉積透過掩蔽遮罩圖案化，其包括真空熱蒸發(VTE)沉積、濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)中之至少一者。
[35] 一種發光面板，其包括：第一電極層；在該第一電極層之上之有機層堆疊；在該有機層堆疊之上之第二電極層；及與該第一電極層及該第二電極層中之至少一者電接觸之複數條匯流排線；其中，該複數條匯流排線包括具有介於約0.01°-30°之範圍內之側壁角度的最終輪廓形狀。
[36] 如請求項35之面板，其中該側壁角度係基於介於分別在匯流排線厚度之10%及90%處之側壁斜坡上之兩點之間的連線測量。
[37] 如請求項36之面板，其中該最終輪廓形狀具有介於約0.01°-20°範圍內的側壁角度。
[38] 如請求項36之面板，其中該最終輪廓形狀具有介於約0.01°-10°範圍內的側壁角度。
[39] 如請求項36之面板，其中該最終輪廓形狀具有介於約0.01°-1°範圍內的側壁角度。
[40] 如請求項35之面板，其中該匯流排線層之側壁之二階導數的最大絕對值為<1.0。
[41] 如請求項35之面板，其中沿側壁之該匯流排線層之RMS表面粗糙度為<30 nm。
[42] 如請求項35之面板，其中該有機層堆疊係位於該等匯流排線上而無中介的絕緣體。
[43] 如請求項35之面板，其進一步包括在該有機層堆疊與該等匯流排線之間之絕緣體。
[44] 如請求項43之面板，其中該絕緣體係在不破壞在藉由氣相沉積圖案化該等匯流排線期間形成的真空下形成。
[45] 如請求項44之面板，其中該絕緣層的最終輪廓形狀係對應於原沉積之絕緣層的輪廓形狀。
[46] 如請求項35之面板，其中該面板之亮度係大於1,000 cd/m²。
[47] 如請求項35之面板，其中該面板之光度均一性在1,000 cd/m²下係大於70%。
[48] 一種製造發光面板之方法，該方法包括：形成第一電極層；在該第一電極層上方形成有機層堆疊；在該有機層堆疊上方形成第二電極層；藉由氣相沉積透過掩蔽遮罩，圖案化以下至少一者：(a)與該第一電極層或該第二電極層中之至少一者電接觸之複數條匯流排線，或(b)絕緣體；其中，形成至少一個單一OLED裝置，該裝置具有平面圖中之最短維度大於約2 cm或平面圖中之主動區域大於約10 cm²中之至少一者。
[49] 如請求項48之方法，其中該第一電極層為陽極及匯流排線係經形成為與該第一電極電接觸。
[50] 如請求項48之方法，其中該第二電極層為陰極及匯流排線係經形成為與該第二電極電接觸。
[51] 如請求項48之方法，其中該方法包括藉由氣相沉積透過掩蔽遮罩圖案化與該第一電極層或該第二電極層中之至少一者電接觸之複數條匯流排線。
[52] 如請求項51之方法，其中該複數條匯流排線之圖案化包括藉由真空熱蒸發(VTE)沉積、濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)中之至少一者沉積。
[53] 如請求項51之方法，其中該複數條匯流排線之圖案化包括藉由VTE透過掩蔽遮罩沉積。
[54] 如請求項51之方法，其中該等匯流排線之最終輪廓形狀係對應於原沉積之匯流排線的輪廓形狀。
[55] 如請求項51之方法，其中該匯流排線之側壁的傾斜角係在0.01°-30°之範圍內，該傾斜角係基於介於分別在匯流排線厚度之10%及90%處之匯流排線上之兩點之間的連線測量。
[56] 如請求項51之方法，其中該匯流排線層之側壁輪廓之二階導數的最大絕對值為<1.0。
[57] 如請求項51之方法，其中沿側壁之該匯流排線層之表面粗糙度之均方根(RMS)為<30 nm。
[58] 如請求項48之方法，其中該方法包括藉由氣相沉積透過掩蔽遮罩圖案化絕緣體。
[59] 如請求項58之方法，其中該絕緣體之圖案化包括真空熱蒸發(VTE)沉積、濺鍍沉積、電子束蒸發及化學氣相沉積(CVD)中之至少一者。
[60] 如請求項58之方法，其中該絕緣體之圖案化包括藉由VTE透過掩蔽遮罩沉積。
[61] 如請求項58之方法，其中該絕緣體之最終輪廓形狀係對應於原沉積之絕緣體的輪廓形狀。
[62] 如請求項58之方法，其中該絕緣體係配置在該第一電極與該有機層堆疊之間。
[63] 如請求項58之方法，其中該絕緣體係配置在該第二電極與該有機層堆疊之間。
[64] 如請求項62之方法，其中該絕緣體係經配置以覆蓋該第一電極之邊緣防止與該有機層接觸。
[65] 如請求項58之方法，其中該絕緣體包括介電層。
[66] 如請求項58之方法，其中該絕緣體包括ETL或EIL層。
[67] 如請求項66之方法，其中該絕緣體包括LiF或Liq。
[68] 如請求項65之方法，其中該絕緣體包括氧化矽、氧化鋁或氮化矽。
[69] 如請求項48之方法，其中形成平面圖中之最短維度大於約2 cm之單一OLED裝置。
[70] 如請求項48之方法，其中形成平面圖中之最短維度大於約5 cm之單一OLED裝置。
[71] 如請求項48之方法，其中形成平面圖中之主動區域大於約10 cm²之單一OLED裝置。
[72] 如請求項48之方法，其中形成平面圖中之主動區域大於約25 cm²之單一OLED裝置。
[73] 如請求項48之方法，其中該面板係形成於可撓性基材上。
[74] 如請求項48之方法，其中該面板係形成於塑料基材上。
[75] 如請求項48之方法，其中該面板係形成於具有小於200 μm之厚度之塑料基材上。
[76] 如請求項74之方法，其中該基材包括PET。
[77] 如請求項74之方法，其中該基材包括PEN。
[78] 如請求項48之方法，其包括藉由氣相沉積透過掩蔽遮罩圖案化：與該第一電極層或該第二電極層中之至少一者電接觸之複數條匯流排線，及絕緣體。
[79] 如請求項48之方法，其中該第一電極層之形成、該有機層堆疊之形成、該第二電極層之形成、該等匯流排線之圖案化及/或該絕緣體之圖案化係在無濕式處理下進行。
[80] 如請求項48之方法，其中該第一電極層之形成、該有機層堆疊之形成、該第二電極層之形成、該等匯流排線之圖案化及/或該絕緣體之圖案化係在不破壞真空下進行。
[81] 如請求項48之方法，其中該第一電極為陽極，該第一電極預先經圖案化，及該有機層堆疊之形成、該第二電極層之形成、該等匯流排線之圖案化及/或該絕緣體之圖案化係在無濕式處理下進行。
[82] 如請求項48之方法，該第一電極為陽極，該第一電極預先經圖案化，及該有機層堆疊之形成、該第二電極層之形成、該等匯流排線之圖案化及/或該絕緣體之圖案化係在不破壞真空下進行。
[83] 如請求項78之方法，其中該絕緣體係藉由沉積圖案化以實質上對應於該複數條匯流排線的圖案。
[84] 如請求項83之方法，其中將隔片遮罩嵌入該基材與該掩蔽遮罩之間以圖案化該絕緣體，及基於該絕緣體期望的最終輪廓，使用該隔片遮罩的厚度來控制該基材與該掩蔽遮罩之間的間隙。
[85] 如請求項84之方法，其中用於圖案化該絕緣體之掩蔽遮罩係與用於圖案化該等匯流排線的掩蔽遮罩相同。
[86] 如請求項78之方法，其中該絕緣體係配置在該匯流排線與該有機層堆疊之間。
[87] 如請求項86之方法，其中該絕緣體係經配置以至少覆蓋該等匯流排線之邊緣來防止與該有機層接觸。
[88] 如請求項86之方法，其中該絕緣體之厚度至少與該匯流排線之厚度相同。
[89] 如請求項86之方法，其中該絕緣體之厚度比該匯流排線之厚度大至少30%。
[90] 如請求項78之方法，其中該絕緣體係經配置以覆蓋該第一電極之邊緣來防止與該有機層接觸。
[91] 如請求項48之方法，其中匯流排線或絕緣體中至少一者之圖案化包括以下至少一者：(a)選擇掩蔽遮罩的厚度；(b)選擇材料來源相對於掩蔽遮罩之位置；及(c)基於匯流排線或絕緣體期望的最終輪廓形狀，控制基材與掩蔽遮罩之間的間隙。
[92] 如請求項91之方法，其中該掩蔽遮罩的厚度係在約20微米至500微米之範圍內。
[93] 如請求項91之方法，其中介於連接來源與基材中心之線與基材法線之間的角度係在約0°至20°之範圍內。
[94] 如請求項48之方法，其中該有機層堆疊係於該等匯流排線上生長而無中介的絕緣體。
[95] 如請求項48之方法，其中該絕緣體係在該有機層堆疊與該等匯流排線之間形成。
[96] 如請求項48之方法，其中該第一電極層係在該等匯流排線圖案化之前形成。
[97] 如請求項48之方法，其中該等匯流排線係在該第一電極層形成之前圖案化。
[98] 如請求項48之方法，其中該等匯流排線係在該有機層堆疊形成之後圖案化。
[99] 如請求項48之方法，其中該面板之亮度係大於1,000 cd/m²。
[100] 如請求項48之方法，其中該面板之光度均一性在1,000 cd/m²下係大於70%。
[101] 一種發光面板，其包括：第一電極層；在該第一電極層之上之有機層堆疊；在該有機層堆疊之上之第二電極層；及與該第一電極層及該第二電極層中之至少一者電接觸之複數條匯流排線；介於該第一電極層與該第二電極層之間的絕緣體；及至少一個單一OLED裝置，其具有平面圖中之最短維度大於約2 cm或平面圖中之主動區域大於約10 cm²中至少一者，其中，該等匯流排線與該絕緣體中至少一者係藉由氣相沉積透過掩蔽遮罩來圖案化。
[102] 如請求項101之面板，其中該複數條匯流排線包括具有大約介於0.01°-30°範圍內之側壁角度的最終輪廓形狀。
[103] 如請求項102之面板，其中該側壁角度係基於分別位於匯流排線厚度之10%及90%處之側壁斜坡上的兩點之間的連線測量。
[104] 如請求項102之面板，其中該最終輪廓形狀具有介於約0.01°-20°範圍內的側壁角度。
[105] 如請求項102之面板，其中該最終輪廓形狀具有介於約0.01°-10°範圍內的側壁角度。
[106] 如請求項102之面板，其中該最終輪廓形狀具有介於約0.01°-1°範圍內的側壁角度。
[107] 如請求項101之面板，其中該匯流排線層之側壁之二階導數的最大絕對值為<1.0。
[108] 如請求項101之面板，其中沿側壁之該匯流排線層之RMS表面粗糙度為<30 nm。
[109] 如請求項101之面板，其中該絕緣體之最終輪廓形狀係對應於原沉積之絕緣體的輪廓形狀。
[110] 如請求項101之面板，其中該絕緣體係藉由在基材與掩蔽遮罩之間嵌入隔片遮罩以圖案化該絕緣體而形成，及基於該絕緣體期望的最終輪廓，使用該隔片遮罩的厚度來控制該基材與該掩蔽遮罩之間的間隙。
[111] 如請求項110之面板，其中用於圖案化該絕緣體之掩蔽遮罩係與用於圖案化該等匯流排線的掩蔽遮罩相同。
[112] 如請求項101之面板，其中該單一OLED裝置具有大於約2 cm之平面圖中之最短維度。
[113] 如請求項101之面板，其中該單一OLED裝置具有大於約5 cm之平面圖中之最短維度。
[114] 如請求項101之面板，其中該單一OLED裝置具有平面圖中大於約10 cm²之主動區域。
[115] 如請求項101之面板，其中該單一OLED裝置具有平面圖中大於約25 cm²之主動區域。
[116] 如請求項101之面板，其中該面板之亮度係大於1,000 cd/m²。
[117] 如請求項101之面板，其中該面板之光度均一性在1,000 cd/m²下係大於70%。
[118] 一種製造具有複數條匯流排線之發光面板的方法，該方法包括：形成第一電極層；在該第一電極層之上形成有機層堆疊；在該有機層堆疊之上形成第二電極層；形成與該第一電極層或該第二電極層中之至少一者電接觸之複數條匯流排線；及藉由氣相沉積透過掩蔽遮罩圖案化絕緣體；其中該絕緣體係經配置以使該等匯流排線與該有機層堆疊電絕緣。
[119] 如請求項118之方法，其中該面板之亮度係大於1,000 cd/m²。
[120] 如請求項118之方法，其中該面板之光度均一性在1,000 cd/m²下係大於70%。

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Liu et al.2021|Efficiency Improvement of Quantum Dot Light-Emitting Diodes via Thermal Damage Suppression with HATCN

JP2017098185A|2017-06-01|透明電極、透明電極を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子、透明電極の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

同族专利:

公开号 | 公开日

TWI639263B|2018-10-21|

US20140091282A1|2014-04-03|

US20120286648A1|2012-11-15|

US8432095B2|2013-04-30|

TW201803183A|2018-01-16|

WO2012170145A1|2012-12-13|

US9397312B2|2016-07-19|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

US4469719A|1981-12-21|1984-09-04|Applied Magnetics-Magnetic Head Divison Corporation|Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material|

US4769292A|1987-03-02|1988-09-06|Eastman Kodak Company|Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone|

GB8909011D0|1989-04-20|1989-06-07|Friend Richard H|Electroluminescent devices|

US5061569A|1990-07-26|1991-10-29|Eastman Kodak Company|Electroluminescent device with organic electroluminescent medium|

DE69412567T2|1993-11-01|1999-02-04|Hodogaya Chemical Co Ltd|Aminverbindung und sie enthaltende Elektrolumineszenzvorrichtung|

US5707745A|1994-12-13|1998-01-13|The Trustees Of Princeton University|Multicolor organic light emitting devices|

US5703436A|1994-12-13|1997-12-30|The Trustees Of Princeton University|Transparent contacts for organic devices|

US6939625B2|1996-06-25|2005-09-06|Nôrthwestern University|Organic light-emitting diodes and methods for assembly and enhanced charge injection|

US5834893A|1996-12-23|1998-11-10|The Trustees Of Princeton University|High efficiency organic light emitting devices with light directing structures|

US6013982A|1996-12-23|2000-01-11|The Trustees Of Princeton University|Multicolor display devices|

US5844363A|1997-01-23|1998-12-01|The Trustees Of Princeton Univ.|Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices|

US6091195A|1997-02-03|2000-07-18|The Trustees Of Princeton University|Displays having mesa pixel configuration|

US6337102B1|1997-11-17|2002-01-08|The Trustees Of Princeton University|Low pressure vapor phase deposition of organic thin films|

US6303238B1|1997-12-01|2001-10-16|The Trustees Of Princeton University|OLEDs doped with phosphorescent compounds|

US6087196A|1998-01-30|2000-07-11|The Trustees Of Princeton University|Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing|

US6528187B1|1998-09-08|2003-03-04|Fuji Photo Film Co., Ltd.|Material for luminescence element and luminescence element using the same|

US6830828B2|1998-09-14|2004-12-14|The Trustees Of Princeton University|Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs|

US6097147A|1998-09-14|2000-08-01|The Trustees Of Princeton University|Structure for high efficiency electroluminescent device|

US6214631B1|1998-10-30|2001-04-10|The Trustees Of Princeton University|Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask|

US6294398B1|1999-11-23|2001-09-25|The Trustees Of Princeton University|Method for patterning devices|

US6458475B1|1999-11-24|2002-10-01|The Trustee Of Princeton University|Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter|

US7576496B2|1999-12-22|2009-08-18|General Electric Company|AC powered OLED device|

KR100377321B1|1999-12-31|2003-03-26|주식회사 엘지화학|피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자|

US20020121638A1|2000-06-30|2002-09-05|Vladimir Grushin|Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds|

CN102041001B|2000-08-11|2014-10-22|普林斯顿大学理事会|有机金属化合物和发射转换有机电致磷光|

US6626721B1|2000-09-22|2003-09-30|Eastman Kodak Company|Organic electroluminescent device with supplemental cathode bus conductor|

US6579630B2|2000-12-07|2003-06-17|Canon Kabushiki Kaisha|Deuterated semiconducting organic compounds used for opto-electronic devices|

JP3812730B2|2001-02-01|2006-08-23|富士写真フイルム株式会社|遷移金属錯体及び発光素子|

JP4307000B2|2001-03-08|2009-08-05|キヤノン株式会社|金属配位化合物、電界発光素子及び表示装置|

KR20030095955A|2001-04-26|2003-12-24|코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.|유기 전자발광 디바이스 및 그 제조 방법|

JP4310077B2|2001-06-19|2009-08-05|キヤノン株式会社|金属配位化合物及び有機発光素子|

DE60232415D1|2001-06-20|2009-07-02|Showa Denko Kk|Licht emittierendes material und organische leuchtdiode|

US6664730B2|2001-07-09|2003-12-16|Universal Display Corporation|Electrode structure of el device|

US7071615B2|2001-08-20|2006-07-04|Universal Display Corporation|Transparent electrodes|

US7250226B2|2001-08-31|2007-07-31|Nippon Hoso Kyokai|Phosphorescent compound, a phosphorescent composition and an organic light-emitting device|

US7431968B1|2001-09-04|2008-10-07|The Trustees Of Princeton University|Process and apparatus for organic vapor jet deposition|

US6835469B2|2001-10-17|2004-12-28|The University Of Southern California|Phosphorescent compounds and devices comprising the same|

US7166368B2|2001-11-07|2007-01-23|E. I. Du Pont De Nemours And Company|Electroluminescent platinum compounds and devices made with such compounds|

US6863997B2|2001-12-28|2005-03-08|The Trustees Of Princeton University|White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission|

KR100691543B1|2002-01-18|2007-03-09|주식회사 엘지화학|새로운 전자 수송용 물질 및 이를 이용한 유기 발광 소자|

SG143063A1|2002-01-24|2008-06-27|Semiconductor Energy Lab|Light emitting device and method of manufacturing the same|

US20030230980A1|2002-06-18|2003-12-18|Forrest Stephen R|Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure|

US7034470B2|2002-08-07|2006-04-25|Eastman Kodak Company|Serially connecting OLED devices for area illumination|

US7189989B2|2002-08-22|2007-03-13|Fuji Photo Film Co., Ltd.|Light emitting element|

KR100686268B1|2002-08-27|2007-02-28|후지필름 가부시키가이샤|유기금속 착체, 유기 ｅｌ 소자 및 유기 ｅｌ 디스플레이|

US6687266B1|2002-11-08|2004-02-03|Universal Display Corporation|Organic light emitting materials and devices|

JP4365196B2|2002-12-27|2009-11-18|富士フイルム株式会社|有機電界発光素子|

JP4365199B2|2002-12-27|2009-11-18|富士フイルム株式会社|有機電界発光素子|

EP3109238B1|2003-03-24|2019-09-18|University of Southern California|Phenyl-pyrazole complexes of iridium|

US7090928B2|2003-04-01|2006-08-15|The University Of Southern California|Binuclear compounds|

WO2004093207A2|2003-04-15|2004-10-28|Covion Organic Semiconductors Gmbh|Mischungen von organischen zur emission befähigten halbleitern und matrixmaterialien, deren verwendung und elektronikbauteile enthaltend diese mischungen|

US7029765B2|2003-04-22|2006-04-18|Universal Display Corporation|Organic light emitting devices having reduced pixel shrinkage|

JP4673744B2|2003-05-29|2011-04-20|新日鐵化学株式会社|有機電界発光素子|

US6995035B2|2003-06-16|2006-02-07|Eastman Kodak Company|Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution|

JP2005011610A|2003-06-18|2005-01-13|Nippon Steel Chem Co Ltd|有機電界発光素子|

US20050025993A1|2003-07-25|2005-02-03|Thompson Mark E.|Materials and structures for enhancing the performance of organic light emitting devices|

DE10338550A1|2003-08-19|2005-03-31|Basf Ag|Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden |

US20060269780A1|2003-09-25|2006-11-30|Takayuki Fukumatsu|Organic electroluminescent device|

JP4822687B2|2003-11-21|2011-11-24|富士フイルム株式会社|有機電界発光素子|

US7332232B2|2004-02-03|2008-02-19|Universal Display Corporation|OLEDs utilizing multidentate ligand systems|

EP1725079B1|2004-03-11|2013-05-08|Mitsubishi Chemical Corporation|Composition for charge-transporting film and ion compound, charge-transporting film and organic electroluminescent device using same, and method for manufacturing organic electroluminescent device and method for producing charge-transporting film|

TWI377867B|2004-03-15|2012-11-21|Nippon Steel Chemical Co||

JP4869565B2|2004-04-23|2012-02-08|富士フイルム株式会社|有機電界発光素子|

US7279704B2|2004-05-18|2007-10-09|The University Of Southern California|Complexes with tridentate ligands|

US7534505B2|2004-05-18|2009-05-19|The University Of Southern California|Organometallic compounds for use in electroluminescent devices|

US7445855B2|2004-05-18|2008-11-04|The University Of Southern California|Cationic metal-carbene complexes|

US7154114B2|2004-05-18|2006-12-26|Universal Display Corporation|Cyclometallated iridium carbene complexes for use as hosts|

US7393599B2|2004-05-18|2008-07-01|The University Of Southern California|Luminescent compounds with carbene ligands|

US7491823B2|2004-05-18|2009-02-17|The University Of Southern California|Luminescent compounds with carbene ligands|

WO2005123873A1|2004-06-17|2005-12-29|Konica Minolta Holdings, Inc.|有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置|

US20060008670A1|2004-07-06|2006-01-12|Chun Lin|Organic light emitting materials and devices|

EP1784056B1|2004-07-23|2011-04-13|Konica Minolta Holdings, Inc.|Organic electroluminescent device, display and illuminating device|

JP4923401B2|2004-11-16|2012-04-25|大日本印刷株式会社|発光表示パネル及びその製造方法|

DE102004057072A1|2004-11-25|2006-06-01|Basf Ag|Verwendung von Übergangsmetall-Carbenkomplexen in organischen Licht-emittierenden Dioden |

KR101272435B1|2004-12-30|2013-06-07|이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니|유기금속 착체|

GB2437453B|2005-02-04|2011-05-04|Konica Minolta Holdings Inc|Material for organic electroluminescence element, organic electroluminescence element, display device and lighting device|

KR100803125B1|2005-03-08|2008-02-14|엘지전자 주식회사|적색 인광 화합물 및 이를 사용한 유기전계발광소자|

WO2006098120A1|2005-03-16|2006-09-21|Konica Minolta Holdings, Inc.|有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子|

DE102005014284A1|2005-03-24|2006-09-28|Basf Ag|Verwendung von Verbindungen, welche aromatische oder heteroaromatische über Carbonyl-Gruppen enthaltende Gruppen verbundene Ringe enthalten, als Matrixmaterialien in organischen Leuchtdioden|

WO2006103874A1|2005-03-29|2006-10-05|Konica Minolta Holdings, Inc.|有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置|

GB2439030B|2005-04-18|2011-03-02|Konica Minolta Holdings Inc|Organic electroluminescent device, display and illuminating device|

US7807275B2|2005-04-21|2010-10-05|Universal Display Corporation|Non-blocked phosphorescent OLEDs|

US9051344B2|2005-05-06|2015-06-09|Universal Display Corporation|Stability OLED materials and devices|

JP4533796B2|2005-05-06|2010-09-01|富士フイルム株式会社|有機電界発光素子|

JP5095612B2|2005-05-31|2012-12-12|ユニバーサルディスプレイコーポレイション|燐光発光ダイオードにおけるトリフェニレンホスト|

US8709614B2|2005-06-07|2014-04-29|Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd.|Organic metal complex and its use in organic electroluminescent device|

KR101294905B1|2005-06-27|2013-08-09|이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니|전기 전도성 중합체 조성물|

US20090039771A1|2005-07-01|2009-02-12|Konica Minolta Holdings, Inc.|Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, display device and lighting device|

WO2007028417A1|2005-09-07|2007-03-15|Technische Universität Braunschweig|Triplett emitter having condensed five-membered rings|

JP4887731B2|2005-10-26|2012-02-29|コニカミノルタホールディングス株式会社|有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置|

CN101321755B|2005-12-01|2012-04-18|新日铁化学株式会社|有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件|

WO2007063796A1|2005-12-01|2007-06-07|Nippon Steel Chemical Co., Ltd.|有機電界発光素子|

WO2007114536A1|2006-04-05|2007-10-11|Daewoo Electronics Corporation|Organic electroluminescence device and method for manufacturing same|

US8142909B2|2006-02-10|2012-03-27|Universal Display Corporation|Blue phosphorescent imidazophenanthridine materials|

EP2399922B1|2006-02-10|2019-06-26|Universal Display Corporation|Metal complexes of cyclometallated imidazo phenanthridine and diimidazoquinazoline ligands and isoelectronic and benzannulated analogs therof|

JP4823730B2|2006-03-20|2011-11-24|新日鐵化学株式会社|発光層化合物及び有機電界発光素子|

KR101453109B1|2006-04-26|2014-10-27|이데미쓰 고산 가부시키가이샤|방향족 아민 유도체 및 그들을 이용한 유기 전기 발광 소자|

US8076839B2|2006-05-11|2011-12-13|Idemitsu Kosan Co., Ltd.|Organic electroluminescence device|

EP2034538B1|2006-06-02|2013-10-09|Idemitsu Kosan Co., Ltd.|Material for organic electroluminescence element, and organic electroluminescence element using the material|

CN101506192A|2006-08-23|2009-08-12|出光兴产株式会社|芳香族胺衍生物及使用它们的有机电致发光元件|

JP5589251B2|2006-09-21|2014-09-17|コニカミノルタ株式会社|有機エレクトロルミネッセンス素子材料|

KR100955993B1|2006-11-09|2010-05-04|신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤|유기 전계 발광 소자용 화합물 및 유기 전계 발광 소자|

EP2518045A1|2006-11-24|2012-10-31|Idemitsu Kosan Co., Ltd.|Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element using the same|

WO2009073245A1|2007-12-06|2009-06-11|Universal Display Corporation|Light-emitting organometallic complexes|

US8119255B2|2006-12-08|2012-02-21|Universal Display Corporation|Cross-linkable iridium complexes and organic light-emitting devices using the same|

WO2008101842A1|2007-02-23|2008-08-28|Basf Se|Electroluminescent metal complexes with benzotriazoles|

CN101687893B|2007-04-26|2014-01-22|巴斯夫欧洲公司|含有吩噻嗪s-氧化物或吩噻嗪s,s-二氧化物基团的硅烷及其在oled中的用途|

WO2009000673A2|2007-06-22|2008-12-31|Basf Se|Light emitting cu complexes|

WO2009003898A1|2007-07-05|2009-01-08|Basf Se|Organische leuchtdioden enthaltend carben-übergangsmetall-komplex-emitter und mindestens eine verbindung ausgewählt aus disilylcarbazolen; disilyldibenzofuranen, disilyldibenzothiophenen, disilyldibenzophospholen, disilyldibenzothiophen-s-oxiden und disilyldibenzothiophen-s,s-dioxiden|

TW200911730A|2007-07-07|2009-03-16|Idemitsu Kosan Co|Naphthalene derivative, material for organic electroluminescence device, and organic electroluminescence device using the same|

US8779655B2|2007-07-07|2014-07-15|Idemitsu Kosan Co., Ltd.|Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device|

KR20100031723A|2007-07-07|2010-03-24|이데미쓰 고산 가부시키가이샤|크리센 유도체 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자|

US20090045731A1|2007-07-07|2009-02-19|Idemitsu Kosan Co., Ltd.|Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device|

WO2009008205A1|2007-07-07|2009-01-15|Idemitsu Kosan Co., Ltd.|有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子用材料|

US8080658B2|2007-07-10|2011-12-20|Idemitsu Kosan Co., Ltd.|Material for organic electroluminescent element and organic electroluminescent element employing the same|

KR20100032888A|2007-07-10|2010-03-26|이데미쓰 고산 가부시키가이샤|유기 전기발광 소자용 재료 및 그것을 이용한 유기 전기발광 소자|

JP2010534739A|2007-07-27|2010-11-11|イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー|無機ナノ粒子を含有する導電性ポリマーの水性分散体|

JP2009040728A|2007-08-09|2009-02-26|Canon Inc|有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子|

US7833074B2|2007-09-04|2010-11-16|Global Oled Technology Llc|Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution|

WO2009050290A1|2007-10-17|2009-04-23|Basf Se|Übergangsmetallkomplexe mit verbrückten carbenliganden und deren verwendung in oleds|

US20090101870A1|2007-10-22|2009-04-23|E. I. Du Pont De Nemours And Company|Electron transport bi-layers and devices made with such bi-layers|

US7914908B2|2007-11-02|2011-03-29|Global Oled Technology Llc|Organic electroluminescent device having an azatriphenylene derivative|

DE102007053771A1|2007-11-12|2009-05-14|Merck Patent Gmbh|Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen|

WO2009063833A1|2007-11-15|2009-05-22|Idemitsu Kosan Co., Ltd.|ベンゾクリセン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子|

CN101868868A|2007-11-22|2010-10-20|出光兴产株式会社|有机el元件|

KR101583097B1|2007-11-22|2016-01-07|이데미쓰 고산 가부시키가이샤|유기 ｅｌ 소자 및 유기 ｅｌ 재료 함유 용액|

JP2009139678A|2007-12-07|2009-06-25|Seiko Epson Corp|発光装置及び電子機器並びに成膜方法|

US8221905B2|2007-12-28|2012-07-17|Universal Display Corporation|Carbazole-containing materials in phosphorescent light emitting diodes|

US8007927B2|2007-12-28|2011-08-30|Universal Display Corporation|Dibenzothiophene-containing materials in phosphorescent light emitting diodes|

KR101812441B1|2008-02-12|2017-12-26|유디씨 아일랜드 리미티드|디벤조［ｆ,ｈ］퀴녹살린과의 전계발광 금속 착물|

KR100962436B1|2008-05-07|2010-06-14|엘지전자 주식회사|디스플레이 패널|

JP5035198B2|2008-09-26|2012-09-26|大日本印刷株式会社|有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法|

KR20110082030A|2008-10-02|2011-07-15|코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.|커버된 션트 라인을 갖는 ｏｌｅｄ 장치|US8564192B2|2011-05-11|2013-10-22|Universal Display Corporation|Process for fabricating OLED lighting panels|

US8981640B2|2011-05-11|2015-03-17|Universal Display Corporation|Simplified patterned light panel|

WO2014039687A1|2012-09-06|2014-03-13|Plextronics, Inc.|Electroluminescent devices comprising insulator-free metal grids|

WO2014187896A1|2013-05-23|2014-11-27|Koninklijke Philips N.V.|Light-emitting device with alternating arrangement of anode pads and cathode pads|

US10910590B2|2014-03-27|2021-02-02|Universal Display Corporation|Hermetically sealed isolated OLED pixels|

US10749123B2|2014-03-27|2020-08-18|Universal Display Corporation|Impact resistant OLED devices|

CN104062842B|2014-06-30|2019-02-15|上海天马有机发光显示技术有限公司|一种掩模板及其制造方法、工艺装置|

CN107123666A|2017-05-27|2017-09-01|上海天马微电子有限公司|显示面板和显示装置|

法律状态:

优先权:

申请号 | 申请日 | 专利标题

US13/105,770||2011-05-11||

US13/105,770|US8432095B2|2011-05-11|2011-05-11|Process for fabricating metal bus lines for OLED lighting panels|

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